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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
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基于國(guó)內(nèi)外大客戶對(duì)高端功率半導(dǎo)體器件的旺盛需求，特別是超級(jí)結(jié)產(chǎn)品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應(yīng)用，華虹集團(tuán)旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數(shù)達(dá)到了48萬(wàn)！生產(chǎn)線在年度動(dòng)力檢修后已滿負(fù)荷運(yùn)行，在1月也取得了出貨6.12萬(wàn)片晶圓的佳績(jī)！
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