3d-ic 文章最新資訊

知識(shí)產(chǎn)權(quán)成為制約我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一

　　在第17屆信息技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)發(fā)布會(huì)暨知識(shí)產(chǎn)權(quán)發(fā)展論壇上，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武表示，知識(shí)產(chǎn)權(quán)逐漸成為制約我國(guó)集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。　　事實(shí)上，近年來(lái)集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的并購(gòu)等資本運(yùn)作頻發(fā)，知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)在并購(gòu)中的地位也日益凸顯，充分表明產(chǎn)業(yè)、資本與知識(shí)產(chǎn)權(quán)的結(jié)合正在成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)趨勢(shì)，也是知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)和運(yùn)用的一個(gè)新趨勢(shì)。　　丁文武認(rèn)為，經(jīng)過(guò)近兩年的努力，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)u趨合理均衡，2016年設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)的銷售額分別達(dá)到1644.3億元、11
關(guān)鍵字： IC 集成電路

2015年大陸貢獻(xiàn)全球IC需求29%,供給僅4%

　　2013年，中國(guó)從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導(dǎo)體，進(jìn)口金額首度超越石油，也促成了中國(guó)「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導(dǎo)體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻(xiàn)了全球29%的半導(dǎo)體需求量，但中國(guó)能自己供應(yīng)的比重僅有4%。　　中國(guó)政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長(zhǎng)。相較于海外的購(gòu)并工作不斷的受到干擾，中國(guó)顯然更積極于自建工廠的努力。整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個(gè)字
關(guān)鍵字： IC DRAM

并購(gòu)路不好走中國(guó)半導(dǎo)體人才引進(jìn)要加速

　　近日，拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究指出，由于中國(guó)本土晶圓廠的擴(kuò)張及先進(jìn)制程的推進(jìn)使人才需求迫切，近兩年中國(guó)引進(jìn)IC人才的力度越來(lái)越大，人才引進(jìn)已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中的熱點(diǎn)，且因多數(shù)新建廠的投片計(jì)劃集中在2018年下半年，預(yù)估2017年人才引進(jìn)將更趨白熱化，是人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)的關(guān)鍵年。　　拓墣認(rèn)為，從紫光海外并購(gòu)屢屢受阻、福建宏芯基金收購(gòu)德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)也因美國(guó)政府態(tài)度而暫緩等事件觀察，顯示在國(guó)際普遍關(guān)注下，中國(guó)未來(lái)想借著并購(gòu)獲取技術(shù)及市場(chǎng)等資源將愈加困難，然而技術(shù)是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心競(jìng)爭(zhēng)力，如果并購(gòu)的路不好走，人
關(guān)鍵字：晶圓 IC

帶上背面隔離罩的IC有更安全？

　　法國(guó)能源署電子暨信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室(LETI)提出了一種低成本的芯片保護(hù)方法，能夠讓芯片免于來(lái)自芯片背面的侵入式和半侵入式攻擊。　　　　芯片可能遭受攻擊的形式包括利用紅外線、化學(xué)延遲和掃描聚焦離子束等方式，其目的在于除去芯片上的材料，并進(jìn)一步存取IC。接著還可能利用這種IC存取方式取得設(shè)計(jì)信息，以及潛在的數(shù)據(jù)。　　Leti安全營(yíng)銷經(jīng)理Alain Merle說(shuō)：“建置多種硬件和軟件對(duì)策，能夠讓IC更加安全，但芯片的背面仍然存在易于受到實(shí)體攻擊的風(fēng)險(xiǎn)。”
關(guān)鍵字： IC 封裝

三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

發(fā)展3D NAND閃存的意義

“首屆IC咖啡國(guó)際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”于2017年1月14日在上海召開(kāi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND DRAM 20170203

常見(jiàn)的IC芯片解密方法與原理解析！

　　其實(shí)了解芯片解密方法之前先要知道什么是芯片解密，網(wǎng)絡(luò)上對(duì)芯片解密的定義很多，其實(shí)芯片解密就是通過(guò)半導(dǎo)體反向開(kāi)發(fā)技術(shù)手段，將已加密的芯片變?yōu)椴患用艿男酒M(jìn)而使用編程器讀取程序出來(lái)。　　芯片解密所要具備的條件是：　　第一、你有一定的知識(shí)，懂得如何將一個(gè)已加密的芯片變?yōu)椴患用堋！　〉诙⒈仨氂凶x取程序的工具，可能有人就會(huì)說(shuō)，無(wú)非就是一個(gè)編程器。是的，就是一個(gè)編程器，但并非所有的編程器是具備可以讀的功能。這也是就為什么我們有時(shí)候?yàn)榱私饷芤粋€(gè)芯片而會(huì)去開(kāi)發(fā)一個(gè)可讀編程器的原因。具備有一個(gè)可讀的編程器，那我們就
關(guān)鍵字： IC 芯片

扭轉(zhuǎn)“兩頭在外”處境中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)亟需調(diào)整

IC設(shè)計(jì)行業(yè)正在發(fā)生變化，未來(lái)真正的“中國(guó)芯”——以中國(guó)制造為主、供應(yīng)內(nèi)需市場(chǎng)將是大勢(shì)所趨。
關(guān)鍵字： IC 晶圓

預(yù)計(jì)今年全球IC市場(chǎng)規(guī)模年增5%

　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，有別于2010年之前，現(xiàn)今全球IC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)深受全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展?fàn)顩r影響。諸如利率、石油價(jià)格、財(cái)政激勵(lì)等外在經(jīng)濟(jì)環(huán)境因素都會(huì)成為影響IC市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)的重要因素。　　該機(jī)構(gòu)表示，在2010年之前，IC產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)周期主要是受到如業(yè)者資本支出、IC產(chǎn)能，以及產(chǎn)品價(jià)格等因素影響。　　根據(jù)1992年以來(lái)全球生產(chǎn)毛額(GDP)年增率與IC市場(chǎng)規(guī)模年增率資料，在1992~2010年期間，全球GDP年增率與IC市場(chǎng)規(guī)模年增率呈現(xiàn)出不規(guī)則變化，并且彼此間也沒(méi)有顯現(xiàn)出相關(guān)性。　　然
關(guān)鍵字： IC

臺(tái)媒：大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

　　中國(guó)大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng)，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國(guó)國(guó)務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國(guó)制造”(MIC 2025)計(jì)劃，目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過(guò)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。　　國(guó)家層級(jí)IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思　　根據(jù)IC Insights報(bào)導(dǎo)指出，現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
關(guān)鍵字： IC DRAM

中國(guó)最大半導(dǎo)體并購(gòu)案:建廣資產(chǎn)收購(gòu)NXP標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)完成交割

雖然收購(gòu)恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)讓建廣資本聲名鶴立，但絕不是一戰(zhàn)成名。鮮為人知的是，建廣資本已經(jīng)在一系列產(chǎn)業(yè)投資與跨國(guó)并購(gòu)中取得了斐然的成績(jī)。
關(guān)鍵字： NXP IC

迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開(kāi)始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬(wàn)坪中的2
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紫光集團(tuán)300億投資南京建IC國(guó)際城

　　據(jù)紫光集團(tuán)官網(wǎng)，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項(xiàng)目在南京正式簽約。　　紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等，占地面積約1500畝，總投資超300億美元。項(xiàng)目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片。　　除投資額300億美元的芯片工廠建設(shè)外，紫光集團(tuán)還將投資約300億元人民幣建設(shè)配套IC國(guó)際城，包含科技園、設(shè)計(jì)封裝產(chǎn)業(yè)基地、國(guó)際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國(guó)際人才公寓等綜合配套設(shè)施。　　新IT投資與研發(fā)總部項(xiàng)目，由紫光集團(tuán)旗
關(guān)鍵字：紫光 IC

國(guó)家戰(zhàn)略助IC產(chǎn)業(yè)“彎道超車” 5G能否成產(chǎn)業(yè)機(jī)遇期？

　　隨著紫光集團(tuán)有限公司一次出資協(xié)議公開(kāi)，到目前為止，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)(也被稱為IC產(chǎn)業(yè))最大一筆投資落地。　　日前，紫光集團(tuán)對(duì)外公布，計(jì)劃通過(guò)其下屬控股子公司紫光控股，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)有股東共同出資設(shè)立長(zhǎng)江控股以實(shí)現(xiàn)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控制，其中，紫光控股出資197億元，占長(zhǎng)江控股注冊(cè)資本的51.04%，擔(dān)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控股股東。　　“這是我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)目前落地的最大規(guī)模項(xiàng)目。”一位立足湖北的券商研究員對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，近幾年來(lái)，中國(guó)加大對(duì)IC產(chǎn)業(yè)的政策扶持，特別是在資金方面的投
關(guān)鍵字： 5G IC

IC卡型H8/310系列單片機(jī)H8/310SeriesMicrocomputer

IC卡型H8/310系列單片機(jī)H8/310SeriesMicrocomputer
關(guān)鍵字： IC

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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]