財聯社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
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4 月 21 日消息，2025 年超大規模集成電路研討會（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導體領域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發布預覽文檔，簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術細節。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節點在性能、能耗及面積（PPA）指標上均實現顯著提升，將為消費級客戶端產品與數據中心產品帶來實質性提升。英特爾聲稱，在相同電壓（1.1V）和復雜度條件下，I
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4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術的高效能運算（HPC）處理器，預計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發。N2是臺積電首個依賴于全環繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術，預計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運行電壓下的性能提高15%，同時晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會上宣布了公司 18A 工藝節點的進展。?在 2025 年愿景會議上，英特爾今天宣布已進入其 18A 工藝節點的風險生產，這是一個關鍵的生產里程碑，標志著該節點現在處于小批量測試制造運行的早期階段。英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因為英特爾即將完全完成其“四年五個節點”（5N4Y） 計劃，該計劃最初由前首席執行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
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臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執行長陳立武帶領下，著重發展半導體設計與代工能力，正積極爭取英偉達與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達比博通更有機會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產品，但效能與功耗仍是英偉達考慮的重點。 另一方面，英特爾透過改善先進封裝技術，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯電的合作相當順利，最快可能在202
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3月24日消息，中國科學院（CAS）研究人員成功研發突破性的固態深紫外（DUV）激光，能發射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當前被廣泛采用的DUV曝光技術的光源波長一致。相關論壇已經于本月初被披露在了國際光電工程學會（SPIE）的官網上。目前，全球主要的DUV光刻機制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準分子激光技術。這種技術通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193納米波長的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發射，輸出功
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Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產計劃有望提早實現。Intel工程經理Pankaj
Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強調這一節點開發是先進制程研發的重要里程碑。從中我們了解到Intel
18A節點已開始批量生產首批晶圓，供客戶進行測試與評估。這標志著英特爾18A節點的工藝設計套件（PDK）正式進入1.0版本，客戶已開始利用該套件進行定制芯片的測試。Intel
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盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務的使用，但該公司將在可預見的未來繼續從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內部生產盡可能多的產品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產品的百分比應該在臺積電生產。“我認為一年前我們在談論盡快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經不是策略了，”英特爾企業規劃和投資者關系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術、媒體和電信會議上說。“我們認為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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在半導體制程技術的競賽中，2納米制程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。 臺積電（TSMC）正在積極研發2納米制程，于2024年開始試產，并計劃于2025年實現量產。 臺積電將在2納米節點引入GAA（環繞柵極）納米片晶體管技術，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變。 臺積電也計劃興建2納米晶圓廠，以滿足未來的生產需求。臺積電在制程技術上一直保持領先，擁有穩定的制造流程和廣泛的客戶基礎。 與蘋果、AMD、高通等大客戶的緊密合作，使其在市場上具有強大的影響力。 且需面對來自三星和英特爾在GA
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近日，英特爾宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。該制程將導入多項先進半導體技術。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther
Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
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英特爾在國際固態電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A
工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統與 RibbonFET (GAA)
晶體管相結合，是英特爾節點的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現了從英特爾 3 的
0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了
0.77 和
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2月13日消息，雖然受到美國制裁，但中國一直是以光刻機為主的晶圓/芯片制造設備的最大采購國，而根據半導體研究機構TechInsights的最新報告，2025年中國半導體廠商的采購將首次出現大幅下降。報告稱，2024年，中國對半導體制造設備的采購額為410億美元，而在2025年預計會降至380億美元，降幅超過7％。TechInsights認為，這一方面是美國的出口管制政策越發收緊，另一方面是中國半導體本身不斷取得突破，同時芯片供應超過了需求。30億美元的下降很大，不過380億美元的采購規模，仍然讓中國穩居世
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在CES 2025上的處理器大廠英特爾演講中，英特爾臨時聯合執行長Michelle Johnston宣布，首款Intel 18A節點制程芯片，也就是英特爾Panther Lake處理器將于2025年下半年發表。演講中，Johnston還展示了 Panther Lake 芯片的樣品，并表示芯片已經在測試中，她對 intel 18A 節點制程的成果非常滿意。Johnston宣布Intel 18A節點制程將于2025年晚些時候發表。 她強調，英特爾會在2025年及以后繼續增強AI PC產品組合，向客戶提供領先的
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12月25日消息，據媒體報道，三星正計劃對其先進半導體封裝供應鏈進行全面整頓，以加強技術競爭力。這一舉措將從材料、零部件到設備進行全面的“從零檢討”，預計將對國內外半導體產業帶來重大影響。報道稱，三星已經開始審查現有供應鏈，并計劃建立一個新的供應鏈體系，優先關注設備，并以性能為首要要求，不考慮現有業務關系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購的設備，并重新評估其性能和適用性，目標是推動供應鏈多元化，包括更換現有的供應鏈。三星過去一直執行“聯合開發計劃”與單一供應商合作開發下一代產品，然而，由于半導體技術日益復
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在歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設計自動化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術做好準備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經通過N2P工藝開發套件（PDK）版本0.9的認證，該版本PDK被認為足夠成熟。這意味著各種芯片設計廠商現在可以基于臺積電第二代2nm制程節點開發芯片。據悉，臺積電計劃在2025年末開始大規模量產N2工藝，同時A16工藝計劃在2026年末開始投產。臺積電N2系
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18a 制程介紹
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