1200v 文章 最新資訊
1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET
- 山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導(dǎo)體器件。然而，這會導(dǎo)致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導(dǎo)致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
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英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計，例如電動汽車充電機(jī)、光伏逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術(shù)相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導(dǎo)通電阻（
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個分立式 SiC FET，從而簡化
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TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展
- 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。 相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
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賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊
- 賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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