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    to263-7 文章 最新資訊

    TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發展

    • 【2023 年 7 月 3 日,德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規級碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠實現雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應用的系統成本。  相比第一代產品,1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%,具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行,縮小了系統尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓(VGS(th)
    • 關鍵字: TO263-7  1200V  溝槽式MOSFET  電動出行  

    高密度封裝的功率級、穩壓器和電感器

    •   伍爾特電子推出的 MagI3C VDRM 是 MagI3C 電源模塊產品系列中的一款全新直流/直流電壓轉換器,采用 TO263-7EP 封裝。轉換器的輸入電壓范圍為 6 至 42 V,可從 9 V、12 V 或 24 V 工業總線進行轉換。  該產品系列為 1 A 和 3 A 電流擴展了兩個全新模塊,且輸出電壓可調,范圍在 0.8 至 6 V 之間。這些模塊堅固耐用,可在最高 105°C 的環境溫度下運行。其最高可達 97% 的高效率。TO263-7EP 封裝易于焊接,尺寸為 10.16 × 13.7
    • 關鍵字: 伍爾特  TO263-7EP  
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