英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態斷路器等。

采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（Rds(on)）相同的情況下，開關損耗降低達25%，系統效率提升0.1%。基于英飛凌先進的.XT擴散焊技術，，G2系列產品的熱阻相較于G1系列降低15%以上，MOSFET溫度也降低了11%。憑借4 mΩ至78 mΩ的出色導通電阻和豐富的產品組合，設計人員能夠靈活使用，提高系統性能，滿足目標應用需求。此外，新技術支持在高達200°C結溫（Tvj）下的過載運行，并具備出色的抗寄生導通能力，確保在動態且嚴苛的工況下實現可靠運行。

英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2提供單開關和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩種型號均屬于英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平臺。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK 和 TOLT）的封裝厚度統一為2.3 mm，具備高度的設計靈活性，使客戶能夠在單一散熱器組件下靈活擴展和組合不同產品。這種設計靈活性簡化了先進功率系統的開發，便于客戶根據需求定制和擴展其解決方案。

Q-DPAK封裝通過實現器件頂部與散熱器之間的直接熱傳導，顯著提升散熱性能。與傳統底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導路徑能夠顯著提高熱傳導效率，使系統設計更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的布局設計大幅減少了寄生電感，對提高開關速度至關重要，有助于提升系統效率，并降低電壓過沖風險。 。該封裝由于占用空間小，適用于緊湊的系統設計，其與自動化裝配流程的兼容性簡化了制造過程，確保了成本效益和可擴展性。

供貨情況

采用Q-DPAK單開關和雙半橋封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2現已上市。