- 1 Active Area 主動區（工作區） 主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區域即所謂的主動區（ACTIVE AREA）。在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區域來的小，以長0.6UM之場區氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之
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- 51 DRAM , SRAM 動態,靜態隨機存取內存 隨機存取記憶器可分動態及靜態兩種，主要之差異在于動態隨機存取內存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個Transistor（晶體管）加一個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優點，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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工藝 微電子
- 據臺灣媒體報道，針對英特爾公司在中國的芯片工廠獲得批準的傳言，全球第一大芯片代工巨頭臺積電公司的董事長張忠謀日前對媒體表示，臺灣地區行政機構應該加速對大陸地區開放半導體先進工藝，否則臺灣廠商在內地將處于落后境地。
去年年底，臺灣行政機構剛剛批準了島內半導體企業向大陸地區輸出0.18微米線寬的8英寸芯片生產工藝。
英特爾公司目前沒有對在中國的芯片工廠進行證實，根據傳言，這座芯片廠將采用90納米工藝，位于中國北方的大連。90納米工藝已經比臺灣廠商獲準在大陸使用的180納米工藝(即0.18微
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- ARM發布首款可即量產的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 ARM公司發布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的9
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90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲器 單片機 工藝 接口 納米 嵌入式系統 存儲器
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