- 賈凡尼現(xiàn)象或賈凡尼效應(yīng)是指兩種金屬由于存在電位差，通過介質(zhì)產(chǎn)生了電流，繼而產(chǎn)生了電化學(xué)反應(yīng)，致使電位高的陽極被氧化的現(xiàn)象.本文中我們將各方面探討分析PCB化學(xué)鍍銀工藝中賈凡尼現(xiàn)象存在的原因和處理方法。
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PCB 化學(xué)鍍銀 工藝 分析
- 敷銅作為PCB設(shè)計的一個重要環(huán)節(jié)，不管是國產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計軟件，還國外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能，那么怎樣才能敷好銅，我將自己一些想法與大家一起分享，希望能給同行帶來益處。 所謂覆銅
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PCB 敷銅 工藝
- 一. 引言
隨著人類對于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過程中涉及到的環(huán)境問題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門的；無鉛化和無鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來看，PCB的表面處理工
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PCB 表面處理 工藝
- 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設(shè)計進(jìn)行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
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CMOS 工藝 鋸齒波 振蕩電路
- 1 引言 本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，設(shè)計了一款用于多路輸出時鐘緩沖器中的鎖相環(huán)，其主 要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小
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CSMC PLL 工藝 零延時
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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保密性 問題 FPGA 工藝 SRAM 基于
- 利用PLC系統(tǒng)控制閃光對焊工藝過程的設(shè)計,閃光對焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù)，具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，焊接的零件截面越來越大，遇到了一些技術(shù)問題，如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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工藝 過程 設(shè)計 閃光 控制 PLC 系統(tǒng) 利用
- 工業(yè)以太網(wǎng)是一個基于以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)所有控制、調(diào)節(jié)儀器設(shè)備自動化技術(shù)的高層次概念。因為一般情況下企業(yè)已擁有把辦公計算機(jī)連接成為一個網(wǎng)絡(luò)的LAN以太網(wǎng)了，而這種網(wǎng)絡(luò)有可能與工業(yè)以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)，并且仍然使用
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設(shè)計 方案 聯(lián)網(wǎng) 垂直 工藝 設(shè)備 流程
- 實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言
Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
40-nm ASIC 無風(fēng)險移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
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40 nm 工藝 定制
- SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實(shí)訓(xùn)》課程的一個重要項目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門課程的特點(diǎn),我們在電子實(shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實(shí)訓(xùn)室參與項目教學(xué)
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環(huán)節(jié) 應(yīng)用 工藝 電子 教學(xué) 項目
- 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法,1. 引言
對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
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RAM 重構(gòu) 模塊 設(shè)計 方法 FPGA 平臺 0.13 微米 CMOS 工藝
- 0 引言
運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分，如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計中，速度和精度是兩個重要因素，而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來決定的。
本文設(shè)計的帶共模反饋的兩級高增益運(yùn)
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CMOS 工藝 放大器 全差分
- 針對DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下，實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設(shè)計，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明所設(shè)計的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。
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電路設(shè)計 工藝 BCD 基于
- 半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)的技術(shù)提升及創(chuàng)新要從研究材料入手，從源頭上達(dá)到國際先進(jìn)水平。在工業(yè)制備方面要加強(qiáng)新型工藝的開發(fā)和應(yīng)用。我國半導(dǎo)體設(shè)備性能、控制已達(dá)到國際高端水平，但穩(wěn)定性還待提升。另外，需要做高端設(shè)備工藝方面的提升和研究。
蘭州瑞德自主開發(fā)的產(chǎn)品涉及多行業(yè)、多領(lǐng)域，在國際金融危機(jī)期間，遇到的問題主要在工藝應(yīng)用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面，公司根據(jù)各行業(yè)特點(diǎn)，公司采取新品上市、設(shè)備改制、設(shè)備派生等手段，使研、切、拋電子專用設(shè)備進(jìn)入各行業(yè)的速度加快了，尤其是視窗、光學(xué)等行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)仍主打高端設(shè)
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半導(dǎo)體設(shè)備 工藝
- 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實(shí)現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
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Telescopic 0.13 CMOS 工藝
工藝介紹
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