ARM發布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

ARM發布首款可即量產的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 

ARM公司發布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的90納米、可即量產的IP。
TSMC設計服務市場代理總監Kuo Wu表示：“我們一貫致力于同我們的IP合作伙伴共同努力，將高質量的IP以最短的時間整合到我們客戶的領先的設計中。在我們對IP認證的嚴格要求下，ARM Velocity DDR1/2存儲器接口在我們的90納米工藝取得了卓越的首次投片成功。”
ARM 90納米Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案包括多組可編程ODT（ on-die termination）和輸出驅動阻抗控制（output driver impedance control），所有的端頭在使用ARM先進的動態校準器電路的情況下能夠獲得很高的阻抗精度。這些特性提高了整體信號的完整性，并且加快高速系統設計的開發周期。90納米Velocity DDR1/2存儲器接口提供最適宜的解決方案，為需要用到SDRAM的眾多應用（例如主流臺式電腦、網絡設施和服務器）提供可調整的功耗和性能。這些可用于DDR1和DDR2的雙倍數據速度解決方案可以最高達800Mbps的數據速度運行，并實現了SDRAM組建和存儲器控制器之間的所有接口。
ARM物理IP部門總經理Brent Dichter表示：“ARM一貫承諾為客戶提供高質量的、已獲驗證的IP產品，確保他們的SoC設計獲得成功。Velocity DDR1/2存儲器接口解決方案通過TSMC IP質量認證體現了ARM物理IP的高質量，同時為我們共同的客戶提供了一個可信任的SoC解決方案。”