Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率與低擁有成本納米圖案成形系統和解決方案的技術領導商。MII 將利用其創新的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術成為半導體存儲設備大批量圖案成形解決方案的全球市場和技術領導商
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半導體 光刻
技術問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰，更多先進的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶會轉移至更小尺寸的產品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發式光刻掩膜板產業必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點，既能進行技術升級發展也能兼顧資本成本。
SEMI最近發表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細的分析，并以全球七個主要地區，包括北美、日本、歐洲、臺灣、
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光刻 掩膜板
1、技術壁壘
半導體分立器件的研發生產過程涉及量子力學、微電子、半導體物理、材料學等諸多學科，需要綜合掌握外延、微細加工、封裝等多領域技術工藝，并加以整合集成，屬于技術密集型行業。隨著下游電子產品的升級換代，電子產品呈現多功能化、低能耗、體積輕薄的發展趨勢，新產品、新應用的不斷涌現，對半導體分立器件的制造封裝工藝等方面提出了更高的技術要求，同時半導體分立器件差別化應用領域的快速拓展，光伏、智能電網、汽車電子、LED照明等跨領域的產品需求，對生產廠商專用半導體分立器件的配套設計能力也提出了更高的要
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半導體 光刻
SUSS MicroTec，宣布收購位于美國加州科羅娜的Tamarack Scientific公司。兩家公司已經簽署相應的收購協議。協議約定，SUSS MicroTec以總價934萬美元外加盈利能力，收購100%的Tamarack公司股份，額外的盈利能力主要取決于Tamarack公司未來三個財年收入的增長情況。
市場對更多功能和更高性能電子設備需求日益增長，進一步推動對更高性能、更高復雜度半導體元件的需求。這種趨勢將在不久的將來顯現出來，促使半導體后道工藝采用創新技術。在過去兩年里，SUSS M
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Tamarack 光刻
美國科學家通過納米模版光刻技術(nanostencillithography)在可彎曲式基板上制作出大范圍的納米圖案。這個...
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光電 納米 光刻
2011年8月26日，中共中央政治局常委李長春來華微電子調研。18時45分，中共中央政治局常委李長春一行來到華微電子六英寸新型功率半導體器件生產線(即芯片四部)門前，在公司夏增文董事長的陪同下參觀了該生產線。李長春首先觀看了設置在該生產線一樓大廳內的企業文化宣傳板，隨后深入生產車間，身穿白色的防塵服，先后參觀了擴散工序、PVD區、光刻工序和中測工序，詳細了解了芯片制造工藝及流程、產品結構、生產規模、市場前景及公司發展目標等情況。
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華微 模擬器件 光刻
在半導體制程中，曝光制程非常重要，因此作為其核心材料的光刻膠(Photoresist)占較大的生產成本，在技術與產業方面的重要性也非常高。根據DisplayBank統計，2011年用于韓國國內半導體產業的光刻膠量約為25萬~30萬加侖，產值約達3,000億韓元(約2.58億美元)的規模。
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半導體 光刻 LCD
據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
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DRAM 光刻
美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光刻 EUV
臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業的死對頭，不過他們對付彼此的戰略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺積電的28nm制 程則有HKMG和傳統的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對待450mm技術的態度也不相同，臺積電是450mm的積極推進者， 而Globalfoundries及其IBM制造技術聯盟的伙伴們則對這項技術鮮有公開表
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芯片制造 光刻
SUSS MicroTec AG的全資子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到幾十份MaskTrack Pro設備訂單。MaskTrack Pro于2009年投產，是用于下一代光刻領域的完整掩膜流程平臺。
對于亞22nm 193nm浸沒式光刻、EUVL深紫外光刻、NIL接觸式納米壓印技術等先進光刻工藝的掩膜版，MaskTrack Pro是目前已知唯一可以實現清洗、烘烤和顯影步驟的設備。MaskTrack Pro結合物理和化學清洗技術，能有效去除有機和無機
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HamaTech 光刻
ASML公司于10月13日公布其未經審計的Q3業績
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ASML 光刻
在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現22nm的各類光刻技術的進展、挑戰與未來市場前景進行了熱烈的討論。
作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰。另外，為了達到工業使用指標急需投入大筆資金。
Nikon指出它仍繼續采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數值孔徑)
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ASML 22nm 光刻
在最近召開的SemiCon West產業會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節點開始啟用EUV極紫外光刻技術制造半導體芯片。 Global Foundries 公司負責制程技術研發的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設備，按之前 Global Foundries公布的計劃，這個時間點大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設備廠商ASML公司也將于這個時間點開始上市EUV光刻設備。
由
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GlobalFoundries 15nm 光刻
新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代開始探尋至今已經將近三十年， 仍然未能投入實用。極紫外光刻面臨的關鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。
Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低
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Intel 光刻
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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