ADI推出用于4G蜂窩基站的突破性射頻電路

　　ADI最新推出設計用于LTE(長期演進)和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動電信系統)標準的增強版，它被視為邁向蜂窩網絡中第四代射頻技術的終極階段。

　　當今社會，移動通信已逐漸成為人類生活不可缺少的部分，人們需要利用移動通信來進行隨時隨地溝通。同時，隨著手機用戶數與全球無線基礎設施建設的快速增長，這就要求基站必須提升數據流容量(蜂窩容量)，因此對射頻電路的集成化以及成本都提出了更高的要求。為解決射頻卡的高密度集成問題， ADI公司推出的新型ADRF660x系列混頻器與ADRF670x系列調制器將多個分立功能模塊集成到單個器件，并能滿足更高容量基站所需要的嚴苛性能，實現了這些高密度射頻卡。通過這種前所未有的集成度，基站制造商可以將電路板空間顯著縮小60%，并大幅降低材料清單成本。

　　隨著全球移動運營商向4G技術演進，需要具有小外形尺寸的更高密度射頻卡，以支持提供連續語音和高數據速率服務。如果說中國3G牌照的發放是一個令人振奮的機會，那么，我國在4G技術的部署和研發也必將大大加快射頻集成電路產品供應商邁向4G的步伐。我國啟動4G研發已經有5年的時間，為了達到4G網絡所需要達到的速率要求， 4G至少需要3倍于現有基站的數量。如上海已經啟動了研發4G的科研項目， 2010年世博會前預計可新建近千個基站。以目前國內3G運行的狀況，也有專家建議中國有跨過3G直接上4G的可能性。因此，可以預測4G將擁有龐大的用戶市場。4G市場的發展及潛在需求需要有可實現高密度射頻卡的新型高集成度RF混頻器和調制器，從而提升LTE和4G基站的容量和速度。ADI公司為迎合該契機，推出了用于4G蜂窩基站的突破性射頻集成電路產品系列。ADI一直秉承設計創新的理念，同時非常期待繼續為這個快速成長且充滿活力的市場服務。

　　“如今的3G和LTE基站采用許多標準分立RF器件來優化發送和接收RF信號通路的性能，ADI公司的新型ADRF660x和ADRF670x產品系列將射頻轉換功能模塊整合到一個集成電路中，并且不犧牲性能，”ADI公司線性RF產品部副總裁Peter Real表示，“這些新型器件采用ADI的PLL/VCO合成器、混頻器和調制器技術，可以為較小外形尺寸和較高密度的宏、微和微微蜂窩基站提供業界領先的相位噪聲性能、功耗和線性度。”

　　關于ADRF660x和ADRF670x系列

　　新型ADRF660x和ADRF670x系列均提供四款引腳兼容的器件，覆蓋常用的蜂窩2G、3G和LTE頻段，并通過集成可實現支持所有蜂窩頻段和空中接口標準的公共外形尺寸PCB(印刷電路板)設計，可簡化系統設計。

　　四款ADRF670x產品將高動態范圍模擬I/Q調制器、RF輸出開關和PLL(鎖相環)與集成式VCO(壓控振蕩器)集成在一個緊湊型RFIC中。其調制器輸入帶寬為500 MHz，能支持規定的頻段或復雜的IF上變頻發送信號通道。此外，調制器輸出支持用于寬帶多載波LTE應用的線性高輸出功率水平。

　　四款ADRF660x產品將高線性度有源RF混頻器、用于單端50 ?輸入的RF輸入巴倫以及PLL合成器與集成式VCO整合到一個緊湊型RF電路中。其有源混頻器提供6 dB的電壓轉換增益，相比同類競爭性無源混頻器，可減少對額外的IF放大的需求。差分IF輸出支持高達500 MHz的最高IF頻率。ADRF660x系列可用于接收器通道下變頻和發送通道觀測接收器應用。

　　這八個器件都具備一個公共的SPI控制接口，并且軟件兼容。集成式PLL是設計用于支持LTE的100 KHz信道柵的多模小數N分頻合成器，可提供業界最低的帶內相位噪聲。為獲得更高的靈活性，所有器件都提供緩沖的本振(LO)輸出，并支持使用外部VCO。