IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。

　　IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。

　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。

　　IBM希望將32nm SOI技術推向更廣闊的領域。IBM已經(jīng)向其代工客戶提供32nm SOI技術，ARM正在為該技術開發(fā)庫，雙方的合作將持續(xù)到22nm SOI技術。

　　IBM的工程師將于12月的IEDM上詳細描述32nm和22nm嵌入式DRAM技術。