英飛凌推出全新射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會上，發布了專門面向700 MHz頻段無線基礎設施應用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動電視廣播和其他移動寬帶服務，其中包括LTE（長期演進）和下一代無線網絡標準。這一全新系列產品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個55 W驅動器及兩個輸出級晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業界最高水平的峰值功率。

　　基于英飛凌先進的LDMOS （橫向擴散金屬氧化物半導體）工藝，這些全新器件擁有內部輸入和輸出寬帶匹配特性和高線性度，從而簡化了放大器設計。它們可理想地應用于Doherty放大器，通過結合并行載波和峰級實現更高效率。在移動電話和無線互聯網系統設計領域，Doherty放大器正變得日益流行。

　　英飛凌公司射頻功率器件部副總裁兼總經理Helmut Vogler表示：“消費者的要求日益苛刻，他們希望所使用的無線網絡提供固網鏈接所能提供的一樣的體驗和應用，在700 MHz頻帶上運營的網絡將支持互聯網應用從固定鏈接遷移到移動鏈接，其中包括IP語音、視頻流媒體、音樂下載和移動電視。我們全新的700 MHz射頻功率晶體管將幫助建立必要的基礎設施，以支持消費者對專門面向全新移動應用定制的新一代消費電子設備的需求。”

器件詳情

　　英飛凌 PTFA070551E/PTFA070551F FET 的典型性能： 在28 V供電電壓下， 雙音峰值包絡輸出功率55W時, 增益為18.5 dB、效率為48 %。

　　對于 PTFA071701GH/PTFA071701HL  FET來說，雙音峰值包絡輸出功率170W時，增益為18 dB、效率為40%。

　　PTFA072401E/ PTFA072401F LDMOS晶體管在30 V供電電壓下雙音峰值包絡輸出功率240W時的典型性能： 增益為18.dB、效率為40%。

　　所有這些產品均采用符合無鉛/RoHS 標準的導熱增強型空腔塑料封裝，帶有開槽或無耳法蘭，能承受輸出端連續波（CW）10:1的電壓駐波比（VSWR）。
 
供貨和定價

　　全新700 MHz射頻功率晶體管的樣品現已開始供應，批量生產定于2008年第四季度。請聯系英飛凌銷售代表了解價格信息。

　　英飛凌正在美國喬治亞州亞特蘭大舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會（2008年6月16日至19日， 1216展位）上展示其全新系列的700MHz LDMOS射頻功率晶體管。