英飛凌攜手臺達共同開發高功率密度電源模塊

英飛凌科技股份公司近日宣布與臺達電子工業股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）強化既有合作伙伴關系，共同開發高功率密度電源模塊，為超大型數據中心的AI處理器提供領先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數據中心邁向低碳化與數字化的重要一步。

英飛凌OptiMOS?系列 TDM22544D 雙相功率模塊

這項合作結合了英飛凌的超薄硅基（MOSFET）芯片與嵌入式封裝技術，以及臺達行業領先的電源模塊設計與制造能力，共同開發具備高能效的高功率密度電源模塊，以實現超大型數據中心xPUs（運算單元）的垂直供電架構（VPD）。相較于傳統的平面橫向供電分立式解決方案，垂直供電模塊可為單一機柜在三年的產品周期中減少高達150噸的二氧化碳排放。若未來的超大型數據中心將包含多達100個服務器機柜，總計二氧化碳減排量將相當于4000戶家庭一年的碳排放。

英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁Adam White表示：“與臺達的緊密合作是兩家公司相輔相成的一個完美的典范——結合英飛凌業界領先的硅基技術與封裝專業技術，和臺達卓越的模塊開發能力相結合。通過這項合作，我們攜手為超大型數據中心創造了顯著價值，在保持高效率與高可靠性的同時，也降低了成本，進一步推動了低碳化的進程。”

臺達電源與系統事業群副總裁暨總經理陳盈源表示：“我們與英飛凌的合作已推進至共同開發高度先進的VPD模塊，可為客戶提供卓越的電源效率、可靠性與可擴展性。我們對于能夠在推動超大型數據中心電源基礎設施生態系統節能方面發揮關鍵作用而感到自豪，并且期待通過兩家公司的聯合創新為整個行業做出重要貢獻。”

臺達的這項VPD模塊采用英飛凌的硅基OptiMOS? 90A功率級解決方案，其垂直供電技術是提高系統效率的關鍵因素，因為垂直供電實現了更直接且精簡的供電路徑。通過垂直供電而非橫向供電，VPD模塊可減少系統的供電網絡損耗，從而實現更高的功率密度與效率，同時也減少因電源損耗產生的散熱需求。另外，垂直供電設計還能釋放出更多系統板上的面積，幫助超大型數據中心更有效地利用空間，設計出更為緊湊與高密度的數據中心，并降低整體擁有成本。

隨著AI時代的持續推進，對高功率數據中心的需求正呈指數級增長。為滿足這一需求，數據中心需要能夠支持AI訓練與推理應用日益增長的功率需求的供電解決方案。此外，由于整合了更多高度互連的xPUs，IT機柜內的密度日益增加，需要開發更高電壓的配電解決方案，更為高效地為這些高密度系統供電。英飛凌與臺達正在合作開發下一代AI數據中心電源供應解決方案，以應對在不久的將來這些數據中心機柜即將出現的兆瓦（MW）等級供電需求

除了在氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）電源解決方案方面擁有廣泛的產品組合外，英飛凌還是硅MOSFET領域的全球領導者，其設計的硅MOSFET旨在為電源開關、控制和轉換帶來一流的性能、可靠性與易用性，幫助產品和系統解決方案實現更高的效率、功率密度和成本效益。