印度首個化合物半導體晶圓廠獲得批準

近日，印度政府宣布批準了印度半導體計劃（ISM）下的四個新半導體項目，將 ISM 項目總數從六個增加到十個。這四個項目總投資約 460 億印度盧比。值得注意的是，其中之一是印度首個商業化合物半導體晶圓廠。

該晶圓廠位于奧里薩邦首府布瓦尼薩爾爾的“信息谷”，由印度的 SiCSem 與英國 Clas-SiC 合作建設。該工廠將專注于碳化硅（SiC）晶圓和器件的生產，年產能為 60,000 晶圓和 96,000,000 器件。其產品將應用于電動汽車、國防設備、鐵路、快速充電站和光伏逆變器。

此外，這次還批準了先進的封裝和玻璃基板設施，這些設施也位于奧里薩的 3D 玻璃解決方案工廠，投資額為 194.3 億盧比。該項目將引入世界領先的 3D 異構集成（3DHI）技術和玻璃中介層工藝。計劃年產能包括 69,600 塊玻璃基板、13,200 個 3DHI 模塊和 5000 萬個組裝單元，服務于國防、人工智能、射頻通信和光子集成等高端領域。

隨著這一批準，ISM 框架下的項目總數增加到 10 個，累計投資超過 1.6 萬億盧比（約合 192 億美元），涵蓋半導體制造、封裝和測試以及化合物半導體。印度政府通過生產關聯激勵（PLI）計劃提供資金支持，旨在吸引國際技術合作伙伴并培育國內供應鏈。

在寬禁帶半導體領域，印度目前對其芯片的進口依賴度為 90%。這些新批準的項目，專注于碳化硅和先進封裝，旨在減少對海外來源的依賴并增強供應鏈的韌性。印度首個碳化硅晶圓廠的建設也預計將加速該國在寬禁帶半導體制造領域的步伐，提升其在人工智能和 5G 通信等新興市場中的競爭力。