Sandisk閃迪攜全新UltraQLC?技術(shù)平臺(tái)亮相FMS 2025

Sandisk閃迪近日展出了一款對(duì)其具有里程碑意義的超大容量256TB^[1] NVMe?企業(yè)級(jí)SSD，在存儲(chǔ)容量、性能與能效方面實(shí)現(xiàn)了突破性提升。這一成果得益于閃迪全新推出的企業(yè)級(jí)UltraQLC?技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)通過整合BiCS8 QLC CBA NAND閃存技術(shù)、定制化控制器及先進(jìn)系統(tǒng)調(diào)優(yōu)，可提供非凡的存儲(chǔ)容量，標(biāo)志著NAND架構(gòu)領(lǐng)域又一重要進(jìn)展。

隨著AI時(shí)代下工作負(fù)載與業(yè)務(wù)需求的不斷演進(jìn)，閃存存儲(chǔ)需具備更高可定制性，以匹配更復(fù)雜的工作負(fù)載。基于UltraQLC?平臺(tái)打造，全新的SANDISK^? 256TB1 NVMe? SSD專為AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)密集型工作負(fù)載設(shè)計(jì)，可高效支撐數(shù)據(jù)準(zhǔn)備和轉(zhuǎn)換及高速AI數(shù)據(jù)湖等應(yīng)用場(chǎng)景。該產(chǎn)品在提供卓越性能與能效的同時(shí)，顯著優(yōu)化了超大規(guī)模云場(chǎng)景下大容量應(yīng)用的總體擁有成本（TCO）。

閃迪公司首席產(chǎn)品官Khurram Ismail表示：“隨著AI時(shí)代邁入新階段，閃存存儲(chǔ)正成為實(shí)現(xiàn)智能化、高性能工作負(fù)載的關(guān)鍵推動(dòng)要素。我們的UltraQLC?平臺(tái)凝聚了團(tuán)隊(duì)多年的技術(shù)積累與研發(fā)投入，旨在構(gòu)建靈活且強(qiáng)大的架構(gòu)，在保持高效率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)非凡容量和卓越性能。這將幫助我們進(jìn)一步擴(kuò)展旗下的產(chǎn)品組合，以滿足大規(guī)模的AI需求，并幫助我們的客戶加速數(shù)據(jù)處理進(jìn)程，將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為實(shí)際創(chuàng)新成果。”

SANDISK^? UltraQLC? 256TB1 NVMe? SSD為超大規(guī)模閃存存儲(chǔ)樹立了全新標(biāo)桿，專為驅(qū)動(dòng)大規(guī)模AI應(yīng)用的高速、智能數(shù)據(jù)湖而打造。憑借更低時(shí)延、更高帶寬與更強(qiáng)可靠性，該產(chǎn)品能夠滿足當(dāng)今AI嚴(yán)苛的工作負(fù)載的性能需求。其核心創(chuàng)新包括：

●   QLC直接寫入（Direct Write QLC）：通過在首次寫入時(shí)利用斷電保護(hù)安全機(jī)制，消除對(duì)SLC緩存的依賴

●   BiCS8 2Tb QLC晶粒：在保持晶粒尺寸緊湊的同時(shí)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度翻倍

●   UltraQLC?能效優(yōu)化技術(shù)：通過動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)（Dynamic Frequency Scaling）功能，在同等功耗水平下可實(shí)現(xiàn)高達(dá)約10%的性能提升^[2]（預(yù)估）

●   可擴(kuò)展的多核控制器：確保在超高容量環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高吞吐量與出色耐用性

●   數(shù)據(jù)保留（Data Retention，DR）配置文件：可減少高達(dá)約33%的DR回收操作^[3]（預(yù)估），在降低功耗的同時(shí)提升驅(qū)動(dòng)器可靠性、可恢復(fù)性及數(shù)據(jù)持續(xù)訪問能力

SANDISK^? SN670 128TB1 NVMe SSD和SANDISK^? UltraQLC? 256TB1 NVMe? SSD將于2026年上半年推出U.2規(guī)格版本，其他規(guī)格版本將在同年晚些時(shí)候推出。

閃迪將于太平洋時(shí)間8月6日（周三）上午11:40在FMS 2025現(xiàn)場(chǎng)發(fā)表主題演講，重點(diǎn)展示其UltraQLC?平臺(tái)解決方案，并在FMS 607號(hào)展位展出其里程碑式的256TB1 NVMe? SSD及其他創(chuàng)新的閃存解決方案。

[1]   1TB = 1萬(wàn)億字節(jié)。基于操作環(huán)境，用戶實(shí)際存儲(chǔ)容量可能偏低。

[2]   數(shù)據(jù)來源：閃迪內(nèi)部測(cè)試，與禁用動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)的情況下對(duì)比所得。

[3]   數(shù)據(jù)來源：閃迪內(nèi)部測(cè)試，與SANDISK SN655對(duì)比所得。