iDEAL與電力系統專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術合作伙伴協議

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。

近日，iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。

根據該協議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術的超高效、高性能功率 MOSFET 的市場范圍。

SuperQ 是本世紀硅技術的首次重大進步。它可將電阻降低高達 5.7 倍，并將開關損耗降低高達 2.1 倍，比領先競爭對手更優。這使功率工程師能夠滿足現代電力系統的需求，同時保持硅的可靠性、經濟性和供應鏈穩健性。

該協議是在 iDEAL 推出首批基于 SuperQ 的產品（一系列 150 V MOSFET）以及 200V MOSFET 系列樣品之后簽署的。這些產品提供領先的品質因數 (FOM)，包括業界最低的電阻、開關電荷 (QSW) 和輸出電容能量 (EOSS)，現已立即可用。

iDEAL 的初始器件針對硬開關、電機控制和同步整流應用，包括 AI 服務器、USB 電力傳輸、電機驅動以及 AC/DC 和 DC/DC 轉換。

iDEAL Semiconductor 首席執行官兼聯合創始人 Mark Granahan 表示：“硅功率半導體的創新已放緩，整個行業的大部分注意力轉向了替代材料。SuperQ 證明了硅仍有空間遠超人們想象的極限。我們很高興與 Richardson Electronics 合作 – 他們在電力電子領域的深厚專業知識使他們成為理想的合作伙伴，將 SuperQ 的顛覆性優勢帶給全球更多客戶。”

Richardson Electronics 電力與微波技術執行副總裁 Greg Peloquin 表示：“SuperQ 結構標志著電力領域的重大突破，我們很高興能代表 iDEAL。作為電力專家，Richardson 的團隊處于獨特位置，能夠幫助功率工程師滿足對他們提出的日益嚴格的要求，而 SuperQ 將成為解決他們挑戰的關鍵組成部分。”