鎧俠發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向生成式AI應(yīng)用的245.76 TB NVMe固態(tài)硬盤

全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，推出業(yè)界首款（1）245.76 TB（2）NVMe? 固態(tài)硬盤，擴展其大容量KIOXIA LC9系列企業(yè)級固態(tài)硬盤產(chǎn)品線。該產(chǎn)品提供2.5英寸和企業(yè)與數(shù)據(jù)中心標準外形尺寸（EDSFF）E3.L兩種規(guī)格。新產(chǎn)品在容量和外形尺寸上均進行了升級，是對122.88 TB（2.5 英寸）型號的補充，專為滿足生成式AI應(yīng)用的性能和效率需求而設(shè)計。

生成式AI對存儲解決方案提出了特殊的要求，既要存儲用于訓(xùn)練大型語言模型（LLM）的海量數(shù)據(jù)集，還需創(chuàng)建支持檢索增強生成（RAG）推理的嵌入式數(shù)據(jù)和向量數(shù)據(jù)庫。這些工作負載亟需兼具大容量、高速度和卓越能效的存儲解決方案。

新產(chǎn)品采用32 Die堆疊的2Tb（3）BiCS FLASH? QLC 3D閃存，搭載創(chuàng)新的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)，提供支持下一代面向AI的工作負載所需的速度、規(guī)模和密度。此次先進存儲架構(gòu)與CBA技術(shù)的結(jié)合，通過小巧的154 BGA封裝中實現(xiàn)了高達8TB（3）的存儲容量，再次開創(chuàng)行業(yè)先河（1）。這一里程碑式的成就歸功于鎧俠在高精度晶圓加工、材料設(shè)計和引線鍵合技術(shù)方面的突破。

對于需要海量數(shù)據(jù)吞吐和高速處理的數(shù)據(jù)湖等應(yīng)用，KIOXIA LC9系列固態(tài)硬盤是理想之選。相較于經(jīng)常導(dǎo)致性能瓶頸和昂貴GPU資源閑置的HDD，KIOXIA LC9系列固態(tài)硬盤能夠在緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的存儲密度。單塊硬盤即可提供高達245.76TB的容量，足以替代多個高耗能HDD，最終實現(xiàn)卓越的性能、更低的功耗、更少的驅(qū)動器插槽占用以及更高的散熱效率，進而顯著降低總體擁有成本（TCO）。KIOXIA LC9系列固態(tài)硬盤的亮點包括：

●   2.5英寸和E3.L規(guī)格，容量高達245.76TB

●   E3.S規(guī)格，容量高達122.88TB

●   支持PCIe^? 5.0（最大傳輸速率128 GT/s，Gen5單x4、雙x2通道）、NVMe 2.0及NVMe-MI? 1.2c規(guī)范

●   支持開放計算項目（OCP）數(shù)據(jù)中心級NVMe固態(tài)硬盤規(guī)范 v2.5（非所有型號）

●   支持靈活數(shù)據(jù)放置（FDP）技術(shù)，可有效減少寫入放大效應(yīng)并延長固態(tài)硬盤壽命（4）

●   安全選項：SIE、SED、FIPS SED

●   采用CNSA 2.0簽名算法（5），為未來量子安全標準而設(shè)計

“鎧俠在推動閃存技術(shù)發(fā)展方面擁有悠久的歷史，KIOXIA LC9系列的問世，再次為固態(tài)硬盤的容量與技術(shù)創(chuàng)新設(shè)立了新標桿，”KIOXIA America, Inc.高級副總裁兼固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Neville Ichhaporia表示，“在生成式AI重塑數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的浪潮下，我們致力于提供突破性的技術(shù)，助力客戶優(yōu)化其IT基礎(chǔ)設(shè)施投資，不斷突破性能、效率和規(guī)模的界限。”

目前，KIOXIA LC9系列固態(tài)硬盤已開始向部分客戶送樣，并將于8月5日至7日在加州圣克拉拉舉行的Future of Memory and Storage 2025（FMS2025）上展出。