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    瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

    —— 瑞薩全新晶圓技術可以幫助MOSFET實現導通電阻降低30%、柵漏電荷減少40%、封裝尺寸縮小50%的目標
    作者: 時間:2025-01-09 來源:EEPW 收藏

    全球半導體解決方案供應商電子近日宣布推出基于全新晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能?;谶@一創新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源(UPS)等多個領域。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202501/466182.htm

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    開發的全新晶圓制造工藝(REXFET-1)使新產品的導通電阻(MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻)大幅降低30%;更低的導通電阻有助于顯著降低客戶系統設計中的功率損耗。

    REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性(向柵極施加電壓所需的電荷量)降低10%,Qgd(在“米勒平臺”階段需要注入柵極的電荷量)減少40%。

    除了優秀的電氣特性外,的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業標準TOLL和TOLG封裝,與其它制造商的器件引腳兼容,且封裝尺寸比傳統TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks,便于光學檢測。

    Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示:“多年來,瑞薩在MOSFET領域積累了豐富的經驗和技術優勢,憑借我們強大的制造能力和多個高產能工廠的供貨保障,瑞薩致力于為客戶提供卓越的產品和服務。”

    成功產品組合

    瑞薩將全新MOSFET與其產品組合中的眾多器件相結合,推出多種“成功產品組合”方案,包括48V電動平臺和三合一電動汽車單元(逆變器、車載充電器、DC/DC轉換器)等。這些方案基于相互兼容且可無縫協作的產品,具備經驗證的系統架構并帶來經優化的低風險設計,以加快產品上市速度。瑞薩現已基于其產品陣容中的各類產品,推出超過400款“成功產品組合”,使客戶能夠加速設計過程,更快地將產品推向市場。

    供貨信息

    RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET現已量產。瑞薩還提供帶有應用說明的參考設計,以幫助客戶縮短設計周期。



    關鍵詞: 瑞薩 MOSFET

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