信越推出新型半導體后端制造設備，可無需中介層實現 HBM 內存 2.5D 集成

IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。

▲ 蝕刻圖案

這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程。

▲ 2.5D 集成結構對比

信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統制造路線無法企及的精細度。

結合信越化學開發的光掩模坯和特殊鏡頭，新型激光后端制造設備可一次性加工 100mm 見方或更大的區域。

根據《日經新聞》報道，信越化學目標 2028 年量產這款設備，力爭實現 200~300 億日元（IT之家備注：當前約 9.02 ~ 13.53 億元人民幣）相關年銷售額。