信越化學(xué) 文章 最新資訊
信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助
- 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。圖片來源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QS
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無需中介層實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時(shí)也縮短了先進(jìn)封裝流程。▲ 2.5D 集成結(jié)構(gòu)對(duì)比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達(dá)到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細(xì)度。結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光
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日本信越化學(xué)擬投資50億日元在越南建LED材料廠
- 日本最大化學(xué)公司信越化學(xué)株式會(huì)社將在越南投建兩個(gè)工廠，分別生產(chǎn)高亮度LED燈用的硅基材料和高純稀土材料，總投資50億日元，約合6400萬美元。 根據(jù)信越化學(xué)公告，公司將投資20 億日元，在越南海防市的庭武工業(yè)園區(qū)建立一個(gè)占地80000平方米的稀土分離和精煉廠。于2013年2月投入生產(chǎn),預(yù)計(jì)年處理稀土礦1000噸，越南新工廠被認(rèn)為可緩解該公司對(duì)中國稀土的依賴。 同時(shí)，信越電子材料越南有限公司將在越南北部興安省的工業(yè)園區(qū)興建占地50000平方米的工廠，生產(chǎn)高亮度LED燈用的硅基材料，總投資30
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信越化學(xué)介紹
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