• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 新聞縱覽 > “自我實現的預言”摩爾定律,如何繼續(xù)引領創(chuàng)新

    “自我實現的預言”摩爾定律,如何繼續(xù)引領創(chuàng)新

    作者: 時間:2024-07-05 來源: 收藏

    59年前,1965年4月19日,英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)應邀在《電子》雜志上發(fā)表了一篇四頁短文,提出了我們今天熟知的摩爾定律(Moore’s Law)。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202407/460709.htm

    就像你為未來的自己制定了一個遠大但切實可行的目標一樣,摩爾定律是半導體行業(yè)的自我實現。雖然被譽為技術創(chuàng)新的“黃金法則”,但一些事情尚未廣為人知…….

    1. 戈登·摩爾完善過摩爾定律的定義

    在1965年的文章中,戈登·摩爾提出,在未來十年內,芯片上的晶體管數量將每年翻一番。1965-1975年半導體技術的發(fā)展情況印證了他的預測。1975年,他將他的預測調整為芯片上的晶體管數量將每兩年翻一番,而成本只會略有增加,形成了如今的摩爾定律。

    image.png

    摩爾定律是對半導體技術創(chuàng)新趨勢的預測

    摩爾定律是戈登·摩爾對半導體技術的觀察和對未來發(fā)展的預測,而非物理定律或自然規(guī)律。

    摩爾定律之所以能一直持續(xù),是因為一代又一代半導體人堅持不懈的探索。

    3. 持續(xù)創(chuàng)新是摩爾定律的精神所在

    對半導體行業(yè)而言,摩爾定律像一面旗幟,引領著整個行業(yè)不斷探索全新技術。摩爾定律體現了以技術創(chuàng)新持續(xù)推動算力指數級提升的信念。

    持續(xù)創(chuàng)新正是摩爾定律的精神所在。英特爾CEO帕特·基辛格表示:“在窮盡元素周期表之前,摩爾定律都不會停止。”

    4. 摩爾定律為數字化世界奠定了基礎

    在過去的五十多年里,摩爾定律一直在推動半導體行業(yè)發(fā)展。作為算力的載體,半導體是信息技術發(fā)展的基石,因而摩爾定律為我們所處的這個日益數字化、智能化的世界奠定了基礎。

    摩爾定律為制造速度更快、體積更小、價格更實惠的晶體管提出了要求,帶來了計算機、互聯(lián)網、智能設備的快速迭代,驅動了各種數字化應用的蓬勃發(fā)展。

    5. 摩爾定律仍在持續(xù)

    雖然業(yè)界有眾多討論,但摩爾定律仍然在很好地延續(xù)著。目前,單個設備中的晶體管數量為數十億,英特爾預計,到2030年,單個封裝中集成的晶體管數量將達到一萬億。這一增長節(jié)奏仍然符合摩爾定律。

    6. 晶體管微縮仍有創(chuàng)新空間

    推進摩爾定律的傳統(tǒng)路徑,把晶體管做得越來越小,終有一天將會走到盡頭,但目前而言,制程技術的創(chuàng)新空間還有很大。

    image.png

    英特爾將于Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點開始采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構PowerVia背面供電技術,開啟半導體制程的“埃米時代”。接下來的Intel 14A將采用High-NA EUV(極紫外光刻)技術。英特爾也在探索互補場效應晶體管(CFET)架構直接背面觸點等更先進的背面供電方案。

    7. “系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化”將驅動摩爾定律的下一波浪潮

    英特爾認為,摩爾定律的下一波浪潮將依靠名為系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化(STCO)的發(fā)展理念。

    系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化是一種“由外向內”的發(fā)展模式,從產品需支持的工作負載及其軟件開始,到系統(tǒng)架構,再到封裝中必須包括的芯片類型,最后是半導體制程工藝。系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化,就是把所有環(huán)節(jié)共同優(yōu)化,由此盡可能地改進最終產品。

    8. 先進封裝技術正成為延續(xù)摩爾定律的關鍵技術

    先進封裝技術的發(fā)展,如英特爾的EMIB 2.5D和Foveros 3D封裝等技術,可實現芯粒的高帶寬連接,從而讓每個特定功能的芯粒都可以基于最合適的制程技術打造,提升芯片的整體性能并降低功耗

    image.png

    英特爾也在探索基于混合鍵合的下一代3D先進封裝技術,有望將互連間距繼續(xù)微縮到3微米,實現準單片式芯片,即與一整塊大芯片相似的互連密度和帶寬。

    9. 材料創(chuàng)新將助力摩爾定律的延續(xù)

    玻璃基板通過封裝材料的更新,大幅提高基板上的互連密度,助力打造高密度、高性能的芯片封裝。

    英特爾還在探索過渡金屬二硫屬化物等2D通道材料,可用于CMOS晶體管關鍵組件,有望進一步微縮晶體管物理柵極長度。

    10. 推進摩爾定律,還有更多可能性

    超越CMOS的新型器件和神經擬態(tài)計算、量子計算等有望大幅提高性能、降低功耗的全新計算范式,也將為摩爾定律的延續(xù)開辟新的空間。




    關鍵詞:

    評論


    相關推薦

    技術專區(qū)

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 建昌县| 察雅县| 铜山县| 大悟县| 南宫市| 栖霞市| 息烽县| 松潘县| 务川| 榆中县| 平湖市| 阳西县| 阳高县| 原平市| 丰县| 青州市| 吉隆县| 安岳县| 湘潭县| 汶川县| 郎溪县| 营山县| 邓州市| 寻甸| 天峻县| 黑山县| 潜江市| 湛江市| 津南区| 泰来县| 雷山县| 滦南县| 抚顺县| 高青县| 乌海市| 云南省| 黔江区| 象州县| 晋江市| 民勤县| 蕲春县|