三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試，“正改善質量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。

不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。

三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的 HBM3E上，三星并未像競爭對手SK海力士、美光那樣采用1b nm制程DRAM裸片，而是仍使用1a nm顆粒，在能耗方面處于劣勢。加上本次出現的相關負面輿論，這導致一些分析師懷疑三星“是否有能力從 SK海力士處迅速奪回市場份額”。