佳能推出納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移

（FPA-1200NZ2C  圖源:Canon)

據(jù)悉，除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)外，佳能還將采用納米壓印(NIL)技術(shù)的半導(dǎo)體制造設(shè)備推向市場，擴(kuò)大其半導(dǎo)體制造設(shè)備陣容，以滿足從最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備到現(xiàn)有設(shè)備的廣泛需求。

佳能官方介紹稱，其NIL技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最小線寬14nm的圖形化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的5nm節(jié)點(diǎn)。隨著掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，納米壓印光刻有望實(shí)現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當(dāng)于2nm節(jié)點(diǎn)。此外，新產(chǎn)品采用新開發(fā)的環(huán)境控制技術(shù)，可抑制設(shè)備內(nèi)細(xì)顆粒污染，使精細(xì)復(fù)雜電路的形成成為可能，有助于制造尖端半導(dǎo)體器件。