存儲器大廠：HBM4，2025年供貨！

人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場需求持續看漲。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。

與傳統DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優勢，可以加快AI數據處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術迭代。

存儲大廠持續發力，三星將推出HBM4

自2014年首款硅通孔HBM產品問世至今，HBM技術已經更新迭代出多款產品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。

原廠規劃方面，此前集邦咨詢調查顯示，兩大韓廠SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）先從HBM3開發，代表產品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠預計于2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠美光（Micron）則選擇跳過HBM3，直接開發HBM3e。

HBM3e將由24Gb mono die堆棧，在8層（8Hi）的基礎下，單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB，此將導入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原廠預計要在2024年第一季推出HBM3e樣品，以期在明年下半年進入量產。

除了HBM3、HBM3e之外，最新消息顯示，存儲大廠還在規劃推出下一代HBM——HBM4。

近日，三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊對外表示，三星電子已開發出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星正在開發HBM4，目標2025年供貨。據悉，三星電子正開發針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術，以應用于HBM4產品。

9月韓媒報道表示，為了掌握快速成長的HBM市場，三星將大幅革新新一代產品制程技術，并推出HBM4產品。據悉，HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。此前所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。

HBM4為時尚早，明年市場主流還得看HBM3與HBM3e

盡管HBM4將有大突破，但它畢竟不會很快到來，談應用以及普及為時尚早。業界指出，當前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調查顯示，當前HBM市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速芯片皆以此規格設計。同時，為順應AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。