東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關損耗的4引腳封裝

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的^[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量出貨。

新產品是東芝碳化硅MOSFET產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品，其封裝支持柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內源極線電感的影響，從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關斷損耗降低了約34%^[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。

使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網發布。

東芝將繼續擴大自身產品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

使用SiC MOSFET的3相逆變器

簡易方框圖

●   應用：

-   開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）

-   電動汽車充電站

-   光伏變頻器

-   不間斷電源（UPS）

●   特性：

- 4引腳TO-247-4L(X)封裝：

柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關損耗

-   第3代碳化硅MOSFET

-   低漏源導通電阻×柵漏電荷

-   低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

●   主要規格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年8月

[2] 截至2023年8月，東芝測量值（測量條件：V_DD＝800V、V_GG＝+18V／0V、I_D＝20A、R_G＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）