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    東芝推出高速導通小型光繼電器,可縮短半導體測試設備的測試時間

    作者: 時間:2025-02-21 來源:EEPW 收藏

    芝電子元件及存儲裝置株式會社(“”)近日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導通時間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202502/467180.htm

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    新型通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器(光電二極管陣列)的設計,可實現(xiàn)高效的光耦合,將導通時間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時間比現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導通時間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。

    此外,當輸出打開時,這兩款產(chǎn)品的導通電阻會影響信號衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當輸出關(guān)閉時,輸出電容會影響高頻信號泄漏(兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF)。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]相當,確保了穩(wěn)定的信號傳輸。

    新產(chǎn)品適用于中的引腳電子[3]應用,可在開關(guān)信號的同時以高精度高速測量待測設備(DUT)。

    新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實現(xiàn)和其他設備的小型化。

    東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品,以滿足對更高性能和更快速度的需求。

    ■   應用:

    -   半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)

    -   探測卡

    -   測量設備

    ■   性:

    -   高速導通時間:tON=150 μs(最大值)

    -   低導通電阻:

    TLP3414S RON=3 Ω(最大值)

    TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)

    -   小型S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)

    ■   主要規(guī)格:

    (除非另有說明,Ta25 °C)

    器件型號

    TLP3414S

    TLP3431S

    封裝

    東芝封裝名稱

    S-VSON4T

    尺寸(mm)

    1.45í2.0(典型值),

    厚度=1.3(典型值)

    觸點類型

    1-Form-A

    (常開)

    絕對最大額定值

    斷態(tài)輸出端電壓VOFF(V)

    40

    20

    通態(tài)電流ION(mA)

    250

    450

    通態(tài)電流(脈沖)IONP(mA)

    750

    1350

    工作溫度Topr(°C)

    –40至110

    隔離電壓BVS(Vrms)

    AC,60 s,

    R.H.≤60 %

    500

    耦合電氣特性

    觸發(fā)LED電流IFT(mA)

    最大值

    3

    導通電阻RON(Ω)

    典型值

    2

    0.8

    最大值

    3

    1.2

    電氣特性

    輸出電容COFF(pF)

    典型值

    6.5

    開關(guān)特性

    導通時間tON(μs)

    最大值

    150[5]

    關(guān)斷時間tOFF(μs)

    100[5]

    注:

    [1] S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值)

    [2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414(額定值40 V/250 mA)和TLP3431(額定值20 V/450 mA),采用VSON4封裝

    [3] 引腳電子(PE):用于向待測設備(DUT)提供電源和測試信號,并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路

    [4] VSON4封裝:1.45 mm×2.45 mm(典型值)

    [5] TLP3414S的測試條件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA



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