英特爾制程路線遇阻：高通停止開發Intel 20A芯片

最新調查顯示，高通已經停止開發基于Intel 20A工藝的芯片。郭明錤發布最新研究報告認為，高通關于Intel 20A芯片的決定可能會對英特爾的RibbonFET和PowerVia技術產生負面影響。這意味著Intel 20A可能無法在明年的預期時間內上市，進一步使得Intel 18A研發與量產面臨更高不確定性與風險。

英特爾處于不利地位

先進制程進入7nm后，一線IC設計業者的高端訂單對晶圓代工來說更為重要。一線IC設計廠商的設計能力、訂單規格（尤其是最高端）、訂單規模相比一般訂單可以顯著改善代工的技術實力，這也是臺積電迄今為止領先其他競爭對手的關鍵因素，同時也是高通停止開發Intel 20A對英特爾造成的最大負面影響。

7nm之后IC設計商的開發成本大幅增加，難以與不同代工廠商在同一節點上合作。以高通3nm芯片開發為例，由于該公司已經與臺積電、三星建立合作，加上裁員以及智能手機市場仍在下滑，其并沒有足夠的資源再來針對Intel 20A（約等同于3nm）開發芯片。

雖然英特爾稱Intel 7已經大規模量產；Intel 4將于今年下半年上場，將用于Meter Lake；Intel 3正在按計劃推進；Intel 20A以及Intel 18A的測試芯片已經流片。然而高通停止開發基于Intel 20A工藝的芯片將使英特爾處于不利地位，使得臺積電和三星成為生產高通驍龍8 Gen 4的唯一可行選擇。

值得注意的是，英特爾在去年公布Arrow Lake的時候宣布CPU模塊會使用Intel 20A工藝，但后續不斷有消息稱會改用臺積電的N3工藝，目前有消息稱英特爾已經放棄在Arrow Lake使用20A工藝，它上面的所有芯粒都會交由臺積電生產。

英特爾的制程路線

兩年前英特爾CEO帕特·基爾辛格（Pat Gelsinger）雄心勃勃地公布了最新工藝路線圖，力求在四年里邁過5個制程節點，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A，同時圍繞“IDM 2.0”戰略打造世界一流的英特爾代工服務（IFS）。目標是半導體制造工藝可以在2025年趕上臺積電，讓英特爾重新奪回處理器領域的領導地位。

按照英特爾的計劃，將在Intel 20A制程節點首次引入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術，從而開啟埃米時代。

· RibbonFET是對全環繞柵極晶體管（Gate All Around）的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新晶體管架構：該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。

· PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸：該技術讓芯片制造更像三明治，首先還是制造晶體管，然后添加互連層，接著翻轉晶圓并進行打磨，在晶體管底層接上電源線。背面供電一方面讓晶體管供電的路徑變得非常直接，可以減少信號串擾，降低功耗，將平臺電壓降低優化30%；另一方面，解決了晶體管尺寸不斷縮小帶來的互連瓶頸，實現了6%的頻率增益和超過90%的標準單元利用率。

此外，英特爾還開發了全新的散熱技術，并在基于Intel 4的、經過充分驗證的測試芯片上進行了反復調試，測試芯片展示了良好的散熱特性，PowerVia能達到了相當高的良率和可靠性指標。