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    東芝推出更低導通電阻的小型超薄共漏極MOSFET

    作者: 時間:2023-05-18 來源:電子產品世界 收藏

    中國上海,2023年5月18日——電子元件及存儲裝置株式會社(“”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。 

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202305/446701.htm

    image.png

    鋰離子電池組依靠高度穩定的保護電路來減少充放電時產生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導通電阻。 

    SSM14N956L采用專用的微加工工藝,已經發布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業界領先[1]的低導通電阻特性實現了低功耗,而業界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。 

    東芝將繼續開發用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產品。 

    ●  應用

    -    家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產品以及辦公和個人設備,包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數碼相機、數碼單反相機等。 

    ●  特性

    -    業界領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V

    -    業界領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V

    -    小型化超薄TCSPED-302701封裝:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)

    -    共漏極結構,可方便地用于電池保護電路

    ●  主要規格 

    (除非另有說明,Ta25

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    注: 

    [1] 截至20235月的東芝調查,與相同額定值的產品進行比較。

    [2] 已發布產品。



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