三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。

三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續運營的基礎。"

AMD高級副總裁、企業院士兼客戶、計算、圖形首席技術官Joe Macri表示："創新往往少不了與行業伙伴的密切合作，來拓寬技術的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作，特別是推出在Zen平臺上優化和驗證的DDR5內存產品。"

這一技術突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。結合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產率提高20%。

基于DDR5最新標準，三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內處理兩部30GB的超高清（UHD）電影。

新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%，對于更多追求環保經營的全球IT企業來說，這將會是值得考慮的優選解決方案。

隨著2023年新款DRAM量產，三星計劃將這一基于先進12nm級工藝技術的DRAM產品擴展到更廣泛的市場領域，同時繼續與行業伙伴合作，推動下一代計算的快速發展。