DDR5加速滲透，封測龍頭帶來新消息

近日，封測龍頭長電科技宣布，高性能動態隨機存儲DDR5芯片成品實現穩定量產。

隨著5G高速網絡、云端服務器、智能汽車等領域對存儲系統性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務器、數據中心等領域加速滲透。相比前代產品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。

反映到芯片成品制造環節，包括DDR5在內的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延，以及更短互連等要求。

為此，長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術，實現同尺寸器件中的高存儲密度性能，滿足市場的需求。

目前，長電科技的工藝能力可以實現16層芯片的堆疊，單層芯片厚度為35um，封裝厚度為1mm左右。長電科技包括DDR在內各類存儲產品已實現量產。

長電科技表示，隨著PC端、服務器端、以及消費端等領域對存儲系統性能的要求不斷提升，市場對DDR5的需求有望加速釋放，為集成電路封測帶來新機遇。