X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協議

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優勢帶給大批量市場的客戶群體。

130納米SiGe BiCMOS平臺

新創建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高性能參數。受益于這項技術的領域包括Wi-Fi 6（和未來的Wi-Fi 7）接入點，以及下一代蜂窩基礎設施（特別是5G 毫米波與新興6G標準）和車對車（V2V）通信；該技術還將在+100GHz雷達系統的開發中發揮關鍵作用，適用于汽車和消費類應用。

這項許可協議延續了2021年啟動的合作，當時X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術中，以提高可支持的帶寬數據。關于這一創新的SiGe平臺，X-FAB將于2022年第四季度開始與選定的早期合作廠商開展原型開發項目。早期準入的PDK可實現原型設計，而量產將在X-FAB法國位于巴黎附近的工廠進行。

IHP科學總監Gerhard Kahmen教授表示：“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺，將為客戶打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術，這肯定會帶來切實的性能優勢。我們雙方之間的技術轉讓，已成為工業與研究機構攜手取得卓越成果的完美范例。”

“X-FAB和IHP在融合我們各自優勢資源開發前沿半導體解決方案領域擁有杰出的成績；雙方針對SiGe技術的最新協議將這一實踐帶入令人興奮的全新階段。”X-FAB RF技術總監Greg U'Ren博士表示，“這是雙方進一步推進SiGe BiCMOS相關創新的起點，涵蓋了工業自動化、消費電子和車載等使用案例，將推動在未來幾年內對通信領域的重新定義。”

縮略語：

BiCMOS   雙極互補金屬氧化物半導體

HBT   異質結雙極型晶體管

mmW   毫米波

PDK   工藝設計套件

RF   射頻

SiGe   鍺硅