• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 編輯觀點 > 美光力推業界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創新

    美光力推業界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創新

    作者: 時間:2021-06-15 來源:EEPW 收藏

    近日,在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中,總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表發布多項產品創新,涵蓋基于其業界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創新產品,并推出業界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創新產品和創新技術體現了通過內存和存儲創新加速數據驅動洞察的愿景,從而助力數據中心和智能邊緣的創新,突出了內存和存儲在幫助企業充分發揮數據經濟潛能方面的核心作用。

    在新的數據經濟背后,有一些最基本的推動力量,其中人工智能(AI)和5G是兩個最為關鍵的創新驅動因素。這兩個技術如今正在起步,為未來十年積累發展能量。AI與5G的結合在未來幾年可以創造一些新的機會和創新,是現在大家所難以想象的。所有的這些創新會帶來顛覆性的力量,大大改變并提升我們面向所有終端市場的價值主張:不僅是手機、筆記本電腦這些客戶端設備,還有智能邊緣 (Intelligent Edge),包括自動駕駛汽車和工業物聯網。
    美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana評價這些發展趨勢時表示,“對美光來說是非常振奮的消息,因為它也帶來了對內存和存儲技術與產品的需求。我們的產品覆蓋不同的市場領域,我們也是內存和存儲領域的龍頭企業。最令人感到興奮的是,內存和存儲技術在數據經濟中被賦予了新的定義。半導體行業在快速增長,行業增速持續高于全球GDP,而內存和存儲是半導體行業增長最快的領域。”

    得益于開發和制程工程師和團隊在176層技術領域贏得市場先機,美光此次宣布量產的首批基于全球首款 176 層 NAND 的 PCIe? 4.0 固態硬盤 (SSD)共有兩款,Micron 3400高性能 NVMe和Micron 2450實惠型 NVMe SSD。其中Micron 3400的容量最高可以達到2TB,它的性能可以滿足最嚴格、最極端的工作負載;而Micron 2450則提供高達1TB的存儲,為日常使用創造卓越的用戶體驗。它的體積很小,只有22×30mm,和25美分的大小差不多。除了采用美光之外,這兩款SSD還具備美光先進的低功耗性能,讓用戶在外享有全天的計算能力而無需使用充電器。
    圖片.png

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202106/426313.htm

    Micron 3400、Micron 2450 具備設計靈活、高性能、低功耗等特點,可支持從專業工作站到超薄筆記本應用的全天候使用。Micron 3400 固態硬盤提供 2 倍讀吞吐量,最大寫吞吐量提高了 85% ,可滿足實時 3D 渲染、計算機輔助設計 (CAD)、游戲、動畫等要求嚴苛的應用需求。Micron 2450 固態硬盤最大限度發揮了 PCIe 4.0 的性能,為用戶提供高響應速度體驗,且提供三種外形尺寸,最小僅為 22x30mm 的 M.2 規格,為客戶產品設計賦予極大的靈活性。

    工藝在存儲顆粒方面具有非常重要的技術競爭優勢,美光一直引領著存儲工藝的變革。大約一年前美光在業界首先實現了1z納米制程,鞏固了在DRAM領域持續保持領先的地位。而現在美光在6月份利用1α 節點制程實現產品的量產出貨。美光科技高級副總裁兼計算與網絡事業部總經理Raj Hazra介紹,“過去幾十年來,美光首次在DRAM和NAND領域實現同時領先。這一點的重要性不僅在于LPDDR4x的進一步技術演進,而是在基礎架構層集成了DDR以及LPDDR優化,并通過1α的制程技術釋放它的潛力,在移動功耗方面帶來驚人的提升,相比1z節點,電池的使用壽命和續航時間會更長,尺寸會更加精簡,用戶體驗會更好。這確實是一個大躍進,在移動時代特別如此,可以讓這些移動設備更好的發揮性能。”
    另一方面,1α制程也是DDR4的重要基礎,LPDDR4x 是第四代低功耗 DRAM 的最新 JEDEC 標準,由于 I/O 電壓性能增強,功耗大幅降低,因此非常適用于移動計算設備。美光在業內首次批量出貨基于1α節點的DDR4,在數據中心平臺進行了廣泛驗證,且已經正式量產,很快就可以到達數據中心的客戶手上。重要的是1α制程與1z制程相比,內存密度增加40%。
    圖片.png

    此外,美光在其 DDR5 技術賦能計劃 (TEP,Technology Enablement Program) 方面也取得了重大進展,該計劃于 2020 年啟動,旨在加快市場對 DDR5 的采用,并為生態系統明年廣泛使用支持 DDR5 的平臺做好準備。目前,該計劃已經吸引了包括系統和芯片服務商、渠道合作伙伴、云服務提供商和原始設備制造商在內的 100 多家業界頭部企業的 250 余位設計和技術領導參與。



    關鍵詞: 美光 176層NAND DRAM

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 新沂市| 南岸区| 府谷县| 抚远县| 庆云县| 盱眙县| 庆云县| 西昌市| 霸州市| 邵阳县| 庆城县| 八宿县| 且末县| 武隆县| 江山市| 介休市| 长治县| 隆安县| 平远县| 上犹县| 唐山市| 府谷县| 政和县| 个旧市| 偏关县| 阳东县| 东山县| 乐陵市| 永兴县| 江达县| 台北市| 水富县| 闽侯县| 广东省| 温泉县| 伊川县| 富源县| 尚义县| 大渡口区| 西乡县| 罗甸县|