首期年產3000萬顆UV LED芯片，山西中科潞安紫外光電項目投產

近日，山西省半導體產業聯盟授牌儀式、中科潞安半導體技術研究院落成典禮暨中科潞安深紫外LED項目投產儀式在中科潞安紫外光電科技有限公司舉行。

山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示，中科潞安深紫外LED項目分兩期建設，總投資約20億元。其中，一期工程為年產3000萬顆紫外LED芯片項目，投資5.4億元；二期工程為年產2億顆紫外LED芯片項目，投資15億元。

中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩表示，該項目于2018年12月完成項目的核心建設，經過5個月的調試運轉和工藝驗證，項目產線設備狀態和生產能力穩健提升和完善，并于2019年5月30日正式投產。

此外，李晉閩還表示，未來隨著設計的年產3000萬顆深紫外LED的產能逐步釋放至滿產，將啟動更大規模的億顆深紫外LED芯片的二期建設，逐步規劃對接資本市場。

會上，由中科潞安紫外光電科技有限公司、中科潞安半導體技術研究院等半導體相關“產學研用”單位組建的山西省半導體產業聯盟正式揭牌，中科潞安半導體技術研究院也正式落成。