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    非揮發性存儲器革命規模將超越SSD

    作者: 時間:2018-09-14 來源:網絡 收藏

    NAND Flash固態硬碟()襲卷了過去10年的儲存技術產業,而(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異,勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯盟,即將卷土重來,成為這波革命背后最主要的推手。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201809/389186.htm

    ZDNet報導指出,Flash 速度雖較傳統旋轉磁碟裝置快上許多,但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異,因此Flash 在執行數據寫入時,仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外,其存儲器還擁有持久型儲存的功能,也就是儲存級存儲器(SCM)的能力。

    儲存級存儲器產品目前在價格上仍無法與NAND Flash競爭,因此還要幾年的時間才有機會成為主流,不過現在仍可利用存儲器匯流排上的非揮發性DIMM(NVDIMM)大幅提升系統速度。像是記憶儲存廠商Plexistor便打造了一套具備意識(NVM-aware)的檔案系統,能夠將I/O性能提升6~8倍,且延遲不到現今檔案系統的10分之1。

    有鑒于CPU性能提升所能帶來的效益面臨了極限,微軟與英特爾等大廠開始將更多資金投入與儲存級存儲器技術的研發。英特爾的3D XPoint,以及惠普企業(HPE)的Persistent Memory都是其中的例子。另外像是磁性存儲器(MRAM)和電阻式存儲器(RRAM)等儲存級存儲器技術,也都蓄勢待發,準備顛覆既有的系統架構。

    事實上,非揮發性存儲器與儲存級存儲器雖是創新的技術,但它們的優點,有不少都曾出現在更早的技術中。例如,磁芯存儲器(Magenetic Core Memory)的持久性,讓它即使在DRAM價格不斷下滑的情況下,還是能大受歡迎;IBM的System 38同樣也只有單一存儲器層,并以硬碟作為存儲器空間的虛擬延伸。然而這些架構最終多被人遺忘,成為歷史。

    目前最受關注的非揮發性存儲器技術,不僅速度快,價格也十分合理。雖然不會如Flash般便宜,但像是3D XPoint的價格就比DRAM更低。非揮發性存儲器技術除了會大量使用在PC與NB上,還有機會出現在更大規模的儲存系統應用。



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