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    2025存儲前瞻:用存儲加速AI,高性能SSD普適化

    作者:鎧俠 時間:2025-01-28 來源:EEPW 收藏

    縱觀2024年,技術升級已經給AI計算、云端應用帶來了諸多便利,從年初鎧俠首款量產車規級UFS4.0推動行業發展, 到RM、PM 和XG系列與HPE攜手登陸國際空間站,再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC,展示下一代前瞻性的光學結構,鎧俠與合作伙伴一起,不僅滿足了時下的應用需求,并已經為未來鋪墊全新的技術可行性。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202501/466647.htm

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    1   更大容量的存儲

    AI計算對企業級存儲提出了更為嚴苛的要求,Tera級別參數的大模型可以輕松裝滿一塊30TB 的企業級固態硬盤,更大容量的存儲解決方案勢在必行。在年初,鎧俠正式發布第八代BiCS FLASH?,并應對市場要求,提供TLC和QLC兩個系列產品線。

    其中QLC能夠更好的在單位空間內提升存儲容量,第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產品提高了約2.3倍,寫入能效比提高了約70%。不僅如此,全新的QLC產品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片,為業界提供領先的4TB 容量,并采用更為緊湊的封裝設計,尺寸僅為11.5x13.5mm,高度為1.5mm。

    這意味著,未來采用第八代BiCS FLASH QLC的存儲產品在存儲空間擁有質的飛躍,可以輕松將企業級和數據中心級SSD容量提升至120TB 以上。Pure Storage公司已經開始對第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC閃存產品展開測試,并認為利用BiCS FLASH?技術的統一全閃存數據存儲平臺不僅能夠滿足人工智能的嚴苛要求,還能實現極具競爭力的備份存儲成本。

    另外,第八代BiCS FLASH?全面優化了邏輯電路,在存儲密度提升50%以上的同時,NAND I/O速度提升可達60%以上,可實現3200MT/s的傳輸速率,并大幅改善的讀取延遲,能夠從數據中心、個人電腦都提供更高的存儲容量,并允許產品騰出更多的空間,留給電池、個性化,以及輕薄設計。

    2   PCIe 5.0與EDSFF加速部署

    PCIe 6.0到PCIe 7.0規范愈發成熟,PCIe 5.0 企業級存儲也進入到了加速普及的時間點。在今年10 月份,鎧俠正式發布了全新XD8系列PCIe? 5.0 EDSFF(企業和數據中心標準型)E1.S固態硬盤。它是鎧俠第三代E1.S固態硬盤,符合PCIe 5.0(32 GT/s x 4)和NVMe 2.0規范,并支持開放計算項目(OCP)數據中心NVMeSSD v2.5規范。

    PCIe 5.0提供了相對PCIe 4.0 倍的傳輸效率,其高帶寬和低延遲特性允許SSD在高負載場合下提供更多并發訪問的可能性,更高的IOPS也允許服務器在AI、數據庫、虛擬化、多媒體編輯中展現出至關重要的作用。

    不僅如此,當EDSFF 規范與PCIe 5.0 搭配更是將效率提升了一個級別,EDSFF 規范在散熱上具備更高的效率,配合SSD設計可以獲得更高的存儲密度,靈活的接口形態以及對Compute Express Link? (CXL?)的支持,給存儲解決方案提供更多靈活、快速的配置。

    剛剛推出的鎧俠XD8系列已經做好為下一代存儲提供支持的準備,它專為云和超大規模環境設計,滿足數據中心對高性能、高效率和高可擴展性的日益增長的需求。通過這款新的固態硬盤,云服務提供商和超大規模企業能夠優化基礎設施,在保持運營效率的同時提供卓越的性能。

    3   打造未來存儲

    在后5G 信息和通信時代,AI已經開始產生前所未有的數據量。鎧俠也在積極探討前瞻性存儲的更多可能性,比如例如基于相變存儲原理打造的XL-FLASH存儲級內存(Storage Class Memory, SCM)與CXL相結合,開發相較DRAM 功耗更低、位密度更高,相較閃存讀取速度更快的存儲器。這不僅會提高存儲器利用效率,還有助于節能。

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    按位密度和讀取時間劃分的存儲器類別

    在車規級存儲領域,鎧俠已經獲得已獲得汽車軟件過程改進及能力評定(Automotive SPICE?,ASPICE)二級認證(CL2)。鎧俠是首家在車規級UFS 4.0 產品上獲得該認證的公司,意味著鎧俠車規級UFS 4.0 已經進入結構化的項目管理和軟件開發流程,以確保產品質量的一致性和可追溯性,不僅滿足汽車制造商和一級供應商對車規級UFS 4.0設備嚴苛的軟件開發和質量標準要求,也意味著在未來的高性能車規級多媒體系統中,將會鎧俠車規級UFS 4.0的身影。

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    另外,鎧俠還宣布開發出OCTRAM(OCTRAM:Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM, 氧化物半導體晶體管DRAM) 技術, 這是一種新型4F2DRAM,由兼具高導通電流和超低漏電流的氧化物半導體晶體管組成。該技術采用InGaZnO(銦鎵鋅氧化物)晶體管,可將漏電率降低到極低水平,從而降低DRAM功耗。無論是SSD 獨立緩存還是內存產品,都有機會通過這項技術獲得高性能、低功耗的產品表現。

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    InGaZnO晶體管的(a)導通和(b)漏電流特性

    顯然2025年依然是充滿了技術挑戰和技術創新的一年,鎧俠與合作伙伴們已經做好了面對新挑戰的準備,全新的存儲技術和解決方案將會在AI加速,云端計算,虛擬化應用,數據中心部署等商業場景中大放異彩,同時筆記本電腦、手機、XR設備也將因為存儲芯片的性能提升和尺寸縮小,擁有更多可能性,為用戶提供更好的存儲體驗。

    (本文來源于《EEPW》



    關鍵詞: 202501 存儲 SSD

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