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    手機實現512GB容量不是夢:72層3D NAND閃存問世

    作者: 時間:2017-04-11 來源:太平洋電腦網 收藏

      隨著APP體積不斷擴大,以及照片、視頻等文件逐漸累積,消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番,最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數據并行處理的效率,但是256GB就夠了嗎?

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201704/346455.htm

        

     

      日前,(SK Hynix)推出業界首款72層堆疊的3D 閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB),閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。

        

     

      相比上代48層堆疊的方案,72層閃存將單元數量提升了1.5倍、生產效率提高30%。由于引入高速電路設計,72層閃存的內部運行速度比48層NAND提高了2倍,讀寫性能增加20%。

        

     

      在去年4月推出36層128Gb NAND閃存,去年11月批量生產48層256Gb NAND閃存。預計72層256Gb NAND閃存將于今年下半年大規模量產,用以滿足固態硬盤和智能手機市場的需求。不妨猜一猜,哪款手機能夠率先突破512GB容量呢?



    關鍵詞: 海力士 NAND

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