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    一片不景氣聲中 SK海力士仍決定大規模投資

    作者: 時間:2016-01-21 來源:Digitimes 收藏
    編者按:2016年展望并不樂觀,PC市場成長已停滯好幾年,連智能型手機市場也出現成長趨緩的跡象,DRAM、NAND Flash的價格也因此持續下跌,這個時候逆勢上揚也是下了多大的決心。

      (SK Hynix)繼2015年之后,再度決定進行史上最大規模投資。市場不景氣與大陸業者強勢跨足產業等種種不利因素下,認為只有持續投資,強化技術競爭力,才能克服眼前危機。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201601/286036.htm

      據韓媒亞洲經濟報導,SK集團(SK Group)會長崔泰源在2011年購并虧損中的海力士,將設備投資比例大幅提高到10%以上。相對于其他業者因為市況差而不敢投資,卻因果斷的投資,讓過去3年業績連創新高。

     根據市調機構DRAM eXchange資料,DDR4 4Gb模組2015年6月的價格為3.7美元,之后開始下滑,12月時已跌到2美元。平均銷售單價下跌,當然很快營收、營業利益也會跟著下跌。連市場觀察家也看衰半導體企業的2016年業績。

      雪上加霜的是,大陸政府砸大錢扶植半導體產業,2015年大陸國營企業清華紫光集團還以威騰(WD)最大股東的身分,透過威騰間接購并全球第三大NAND Flash業者新帝(SanDisk)。

      SK海力士認為若想克服眼前危機繼續成長,就必須強化技術競爭力。就算2016年業績展望不如前一年,也要維持研發投資的規模,繼續制程微細化與下一代存儲器的開發。

      SK海力士計劃投資進行2z DRAM(20納米級)與1x DRAM(10納米級)的開發與量產。透過推出講究技術的新產品來強化成本競爭力,也借此提高投資效率。為了改善DRAM價格下滑導致的收益衰退,也計劃增加高階產品DDR4與LPDDR4 DRAM的生產與銷售。

      NAND Flash方面則計劃開發比16納米更微細的2D架構14納米產品,以確保競爭力。2015年36層3D NAND Flash初期量產成功,2016年打算正式量產48層產品維持技術領先。同時致力研發屬于新成長動能的下一代存儲器與系統半導體,期望與后進業者拉開技術差距。

      為了因應中長期增加的需求,位于韓國利川與清州的建廠投資計劃也照規劃進行。利川M14廠為了二期工程,投資1兆韓元(約8.3億美元)建設無塵室與電力、環境等基礎設施。又為清州新廠購地,近年內還會著手整理利川新廠基地。

      SK海力士引用首爾大學經濟研究所研究結果表示,透過M14廠創造的營收,到2021年為止可望為韓國引發55兆韓元產值,創造21萬個就業機會。



    關鍵詞: SK海力士

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