Silego推出業界首顆p通道MOSFE替代產品集成負載開關

　　2013年10月15日，Silego公司的電源族又推出了納安級功耗負載開關系列。此系列推出了兩款產品：支持6A負載電流的SLG59M1470V和支持2A負載電流的SLG59M1460V。

　　Silego公司專有的亞微米銅裝FET技術支持以1 x 1 mm標準塑封的業界最小，功能最全的高效率電源開關

　　納安級功耗能源負載開關支持低至9.5 μs內快速電源切換。此快速切換特點允許任意系統當電源關閉時提供電源分離。有效模式下啟動SLG59M1470V僅消耗35 nA 休眠模式下的極低功耗以及有效模式下的低Rds(ON)

　　導通電阻性能大大提高了電池壽命。

　　Silego公司營銷部主管Jay Li 說到，手機系統設計人員要求負載開關同時具備三個參數：快速啟動，低Rds(ON)導通電阻以及低能耗。目前的P通道MOSFET解決方案雖然啟動速度能耗低，但是電源低于2.5V時導通電阻高。我們的納安級功耗能源負載開關是業界首顆具備了此三樣關鍵手機性能參數的集成負載開關。此款器件現廣泛應用到新一代手機器件包括平板電腦，筆記本以及智能手機中。

　　SLG59M1470V以9 pin, 1.5 x 2.0 mm STDFN封裝。此器件可切換1.0V以下電源。SLG59M1470V的導通電阻在7.4 m?.。

　　SLG59M1460V以8 pin, 1.0 x 1.6 mm STDFN封裝。此器件可切換1.0V電源。SLG59M1460V的導通電阻在21.3 m?。

　　目標應用:

　　· 平板電腦
　　· 智能手機
　　· 筆記本電腦
　　· 任一頻繁切換叫醒與休眠循環的系統Any system requiring frequent wake & sleep cycle