MC9S08QG8單片機的EEPROM虛擬技術

使用C語言而不是匯編語言編寫這個函數是因為C語言表達更清晰，另外目前的C編譯器能夠產生高效的匯編代碼。函數的入口參數cmd為Flash操作命令，具體命令內容及其命令字節如表1所列；ProgAddr為待操作的Flash的地址，若是擦除操作則為Flash頁內或者整個Flash內的任意地址；buff-erAddr為緩沖區首地址；buff-ersize為待寫入的數據長度。

2．2 存儲信息區的設計
存儲信息區由5個字節構成。其中第一個字節為長度信息，記錄的是空白Flash第一次被寫入的數據大小。另外四個字節為寫入控制信息，用來記錄Flash的寫入情況。每次寫入成功后，將該信息區按從低到高的順序將對應的位由1變為0。這里需要提到的一點是：Flash被擦除后，每個字節的數據都變為0xFF，對Flash編程，其實是將Flash中每一位由“1”狀態變為“O”狀態，或者保持“1”狀態。正是利用這一點，控制信息可以記錄當前Flash數據的寫入情況。例如，若長度信息為16，則會用到控制信息的31位；若長度信息為63，則僅用到低8位，寫入8次后，若要進行下一次寫入操作，由于該頁剩余的長度僅有3字節(512―5―63×8)，小于63，所以需要擦除后才能進行。為了減少擦除次數，這里規定每次寫入的數組長度不能超過63，同時由于控制信息位數的限制，數字長度至少為16字節。存儲信息區的結構如下：