三星與Synopsys合作實現首次14納米FinFET成功流片

　　亮點：

　　該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現更快和更高能效的系統級芯片(SoC)

　　該合作為3D器件建模和物理設計規則支持奠定了基礎

　　測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用

　　為芯片和電子系統加速創新提供軟件、知識產權(IP)及服務的全球性領先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統的平面工藝在功耗與性能上明顯出超，但從二維晶體管到三維晶體管的轉變帶來了幾種新的IP及EDA工具挑戰，如建模就是其中的一大挑戰。兩公司多年的合作為FinFET器件的3D寄生參數提取、電路仿真和物理設計規則支持提供了基礎性的建模技術。而Synopsys的綜合解決方案，涵蓋嵌入式存儲器、物理設計、寄生參數提取、時序分析及簽核(signoff)，全部構建于雙方合作成果的基礎之上。

　　“FinFET晶體管可以實現更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴峻的挑戰，”三星電子器件解決方案部負責系統LSI底層架構設計中心的副總裁Kyu-Myung Choi博士說道。“我們之所以選擇Synopsys作為我們的FinFET技術合作伙伴來解決這些挑戰，是因為我們在20納米和其它節點上的成功合作記錄。我們將繼續匯聚我們的專有技術來提供創新的FinFET解決方案。”

　　Synopsys的具備FinFET能力的IP

　　Synopsys與三星通過緊密合作開發了一款測試芯片，它可以用來驗證三星先進的14納米FinFET工藝以及Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器，后者采用了Synopsys 的STAR(自測試和自修復)存儲系統解決方案。該測試芯片實現了仿真模型與FinFET工藝的相互關聯，同時包含了測試結構、標準單元、一個鎖相環(PLL)以及多個嵌入式SRAM。存儲器實體包括專為在非常低的電壓下運行而設計的高密度SRAM和可驗證工藝性能的高速SRAM。

　　Synopsys面向FinFET工藝的設計工具

　　從平面到基于FinFET的3D晶體管的轉變是一項重大改變，它需要工具開發商、晶圓代工廠和早期采用者之間緊密的技術協作，以提供一種強大的解決方案。Synopsys的高精確度建模技術為具備FinFET的Galaxy™ Implementation Platform實現平臺奠定了基礎。該平臺包括IC Compiler™物理設計、IC Validator物理驗證、StarRC™寄生參數提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim™和FineSim以及HSPICE®器件建模和電路仿真。

　　“三星電子一直是我們共同投入和投資的一個核心伙伴，共同致力于為FinFET技術開發完整的解決方案，” Synopsys高級副總裁兼設計實現部總經理Antun Domic說道。“Synopsys與三星的廣泛合作使我們能夠提供業內頂級的技術和IP，以幫助設計師們實現FinFET晶體管設計的全部潛在優勢。”