“最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”
—— TSMC 預(yù)計(jì)其 N3 進(jìn)程將是一個長時間運(yùn)行且高容量的節(jié)點(diǎn)。
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在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/202504/469879.htm臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標(biāo)是讓集成芯片性能成為一個平臺，”Zhang 說。
截至目前，可用或計(jì)劃中 N3 變體是：
N3B：基準(zhǔn) 3nm 工藝。
N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。
N3P：N3E 的增強(qiáng)版本，在相同速度下性能提高 5% 或功耗降低 5-10%，并為混合設(shè)計(jì)提供 4% 的晶體管密度增加。
N3X：針對 HPC，它允許更高的電壓和最大的時鐘頻率。它在 5V 電壓下提供的速度比 N3P 高 1.2%。
N3S：一種高密度變體，旨在最大限度地提高晶體管密度，可能使用單鰭庫，并可能采用背面供電。
N3RF：用于射頻產(chǎn)品
N3A： 用于汽車產(chǎn)品
N3C：適用于超值產(chǎn)品
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