• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 模擬技術 > 業界動態 > 3D IC制程標準須與國際接軌

    3D IC制程標準須與國際接軌

    作者: 時間:2012-05-31 來源:SEMI 收藏

      日前,在SEMI臺灣和臺工研院共同主辦、先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC)協辦的“SEMI國際技術標準制訂與全球技術標準研討會”中,半導體制造聯盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen,以及SEMI資深協理James Amano,分享了數項SEMI國際技術標準最新發展、成功案例,以及國際上技術標準之布局。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/133029.htm

      SEMI指出,由于整合度高、體積小、成本和功耗低等優勢,已成現今半導體產業不可或缺的重要發展技術。SEMI臺灣集結多家相關業者,積極參與國際產業技術標準的制訂,持續討論和研擬制訂不同生產階段中所需的標準,透過專利權的建置、掌握國際標準脈動,才是讓臺灣廠商持續創造競爭優勢,以應產業萬變的最佳策略。

      臺灣工研院量測中心副主任林增耀在會中表示,世界經濟局勢變動劇烈,唯有擁有專利、掌握國際標準脈動,才是創造競爭優勢以應萬變的最佳策略,參與國際產業技術標準的制訂,更成為臺灣企業布局國際市場的重要攻防戰。

      半導體制造聯盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen于會中表示,3D IC具備整合度高、體積小、成本和功耗低等優勢,已成現今產業不可或缺的重要發展技術,而隨著3D IC技術受到重視,如何建立立體堆疊整合最常用的矽穿孔(TSV)技術標準也備受矚目。

      SEMI產業標準與技術專案資深經理張嘉倫指出,SEMI在臺灣致力于推動3D IC標準制訂,已集結包括臺積電、聯電、日月光、矽品、晶電、聯發科、漢民科技等半導體大廠參與討論不同生產階段中所需的標準,相關技術領域范圍涵蓋矽穿孔(TSV)、接合和薄化制程、測試檢驗和量測、設備和材料標準的研擬和制訂。

      SEMI指出,由于3D IC設計復雜度遠高于傳統晶片,技術及成本挑戰接踵而來,SEMI以制造業需求為導向,所制訂出的3D IC產業技術標準,對提升產能、降低制造成本、縮短產品上市所需時間,以確保全球各地在設備與制程的相容性,而這也是牽連到臺灣企業布局國際市場的重要攻防戰。



    關鍵詞: 3D IC 制程標準

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 大石桥市| 紫阳县| 天镇县| 铜鼓县| 鹰潭市| 唐海县| 沁水县| 久治县| 澄江县| 修武县| 柳河县| 库车县| 浏阳市| 偏关县| 五河县| 通州市| 克拉玛依市| 克什克腾旗| 合阳县| 贡山| 淳化县| 迁安市| 梅州市| 永登县| 腾冲县| 普宁市| 东丽区| 湄潭县| 永川市| 南涧| 明光市| 台南县| 文昌市| 新乐市| 荥经县| 鹿泉市| 东光县| 南投县| 南开区| 西丰县| 道孚县|