海力士半導體放緩NAND Flash工藝轉換速度

　　南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。

　　海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。

　　NAND Flash為非揮發性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝置的主要內存。若采用26納米制程生產的NAND Flash，可縮減單一晶圓生產的半導體尺寸，生產性較32納米制程提升60%以上。

　　尤其26納米制程在生產32Gb和64Gb等高容量NAND Flash產品時，較32納米制程更有利，可積極應對近來以行動裝置為中心暴增的內存需求趨勢。

　　海力士目前正在忠清北道清州廠增建NAND Flash專用廠M11，而M11大部分為26納米制程設備。海力士相關人員表示，海力士2011年將會致力強化NAND Flash競爭力，在轉換至26納米制程后，計劃2011年下半開始投入20納米制程NAND Flash量產。另一方面，海力士2010年第3季到第4季，在NAND Flash市場的市占率從9.4%攀升至10.4%，2011年第1季擴大至10.7%。