美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業將持續供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。

　　美光日前擺脫合作伙伴英特爾不愿再投資NANDFlash產業陰霾，雙方宣布共同投資30億美元，啟動新加坡12寸晶圓廠IMFS(IM Flash Technologies Singapore)，且美光為確保獲得多數產能，對該座廠房投資比重高于英特爾，未來可獲得較多產能分配。

　　值得注意的是，2011年初傳出美光與臺塑針對NANDFlash技術授權華亞科生產一事進行談判，但最后雙方未達共識，但對于美光是否會釋出NANDFlash代工權給華亞科，業界討論不斷。美光企業發展副總裁MichaelSadler表示，目前無法讓華亞科代工NANDFlash，主要是受限于其與英特爾之間合約，規定NANDFlash技術不能轉移到其它晶圓廠生產，但對于未來授權NANDFlash技術給華亞科的可能性，仍是保持開放空間和態度。

　　Sadler亦表示，美光要增加NANDFlash產能，另一個選項就是啟動新加坡二廠，亦即現有新加坡晶圓廠旁邊空地。然存儲器業者認為，啟動新加坡二廠所需資金恐相當高，英特爾不一定會再投資，若美光想快速擴大NANDFlash產能，讓華亞科代工是最快方式。

　　過去華亞科13萬片12寸晶圓產能主要是支持DRAM生產，但DRAM需求成長受限，華亞科已改弦易轍，生產MobileRAM和Server DRAM，調撥部分12寸產能給NAND Flash，會是美光取得更多NAND Flash產能最快捷徑。

　　目前美光和英特爾在美國有2個策略聯盟晶圓廠，分別位在維吉尼亞州Manassas廠和猶他州Lehi廠，雙方亦在新加坡合資晶圓廠，因此，未來美光NAND Flash技術若要技轉給其它代工廠，必須先獲得英特爾首肯。

　　另外，相較于三星電子(Samsung Electronics)和東芝在NAND Flash產業市占率都高達35%左右，美光市占約維持在10~12%。美光強調，在NAND Flash產業中，其目標不會去追求全球第1，而是要求全球成本最低、最快速把產品推到市場上，如今25納米制程已是產業最基本競爭門檻，下一輪戰爭將是在20納米制程上。