鎂光南亞合作開發出42nm制程2Gb DDR3內存芯片

　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產品已經在鎂光設在Boise的研發中心開始研制。

　　兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產，并將于今年下半年開始量產這種產品。

　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內存芯片產品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。

　　這款42nm 2Gb DDR3內存芯片產品的數據傳輸率最大可至1866Mbit/s，可用于組裝成16GB總容量的DDR3內存條產品。