高通與TSMC在28納米工藝技術上攜手合作

　　高通與臺積電1月7日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術進行密切合作。此先進工藝世代可以更具成本效益的將更多功能整合在更小的芯片上，加速無線通訊產品在新市場上的擴展。

　　小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內的下世代系統單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長久的合作關系，高通與臺積電正攜手將產品從45納米工藝直接推進至28納米工藝。

　　臺積電全球業務暨行銷副總經理陳俊圣表示，臺積電一向致力于提供客戶先進技術平臺及設計生態系統，我們的28納米工藝平臺可以為嶄新世代的產品帶來更多高效能、低耗電的產品體驗。我們很高興能與全球通訊領導廠商-美商高通公司攜手合作，使得更多使用者的新體驗得以實現。

　　高通資深副總裁暨高通通訊科技總經理Jim Clifford表示，高通藉由領先業界的整合、兼具功耗及成本效益的產品，為客戶帶來「利用最少資源，獲得更多效益」的重要優勢，其關鍵在于與臺積電的緊密合作。高通藉由整合式無晶圓制造模式及不斷跨入更先進工藝，將持續為全球的移動電話、智能手機、智能筆記本電腦等用戶帶來最佳的移動通訊體驗。

　　高通與臺積電過去在65納米與45納米工藝技術合作十分密切，現在更進一步延伸至低耗電、低漏電的28納米世代進行量產。28納米工藝密度可較前一代工藝高出一倍，讓執行移動運算的半導體元件能在更低耗電下提供更多功能。高通與TSMC目前在28納米世代的合作包括高介電層/金屬閘(high-k metal gate, HKMG)的高效能工藝技術以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗電高速工藝技術。此外，高通預計于2010年年中投產首批 28納米產品。

　　高通整合無晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing;IFM)成功的關鍵，乃是與策略性技術及集成電路制造伙伴密切合作，這不但展現極高的效率，也加速整個產業的技術發展。