東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

　　自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動(dòng)作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國(guó)業(yè)者共同投資1,500億日?qǐng)A(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(dá)(Elpida)亦計(jì)劃在2010年度中，投資600億日?qǐng)A于主力據(jù)點(diǎn)，以增加3成出貨量。

　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導(dǎo)入尖端設(shè)備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設(shè)新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬片提高為36萬片。

　　另一方面，為因應(yīng)市況，東芝四日市廠將不休假，產(chǎn)能滿載。2008年該廠受景氣低迷影響，休假期間長(zhǎng)達(dá)13天，產(chǎn)能利用率亦大幅滑落。而東芝的大分廠、北九州廠、姬路廠最多停工2天亦較2008年的狀況大幅改善。