商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
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三菱電機 SiC MOSFET
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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三菱電機 SiC SBD
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://www.czjhyjcfj.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！http://www.czjhyjcfj.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯設計的挑戰，本文將介紹演示和測試結果。演
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SiC JFET 并聯設計
在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業。然而，碳化硅 （SiC） 的出現徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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碳化硅 SiC 電力電子
1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發布的數據預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業協會的統計數據顯示，2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬輛以上規模，產銷總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車產銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
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電驅 碳化硅 SiC 新能源汽車 800V
自央視頻官方獲悉，格力電器董事長董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質疑，并談到了格力建設的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題。“傳統的芯片工廠用的環境設備都是進口的，比如恒溫狀態，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統的環境設備，要比傳統的降溫模式更節能，而這可以降低企業的成本?！倍髦橐?/li>
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格力電器 SiC 芯片工廠
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體管（B
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SiC Cascode JFET AC-DC
●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產品●? ?這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲
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英飛凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
SiC 器件性能表現突出，能實現高功率密度設計，有效應對關鍵環境和能源成本挑戰，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實現高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優，有利于開發更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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SiC 電源轉換
英飛凌在200mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲拉赫的生產基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產品
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英飛凌 200mm SiC
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統寄生電感和過度流動保護限制的重要性?！ 拵О雽w技術的優勢需要仔細考慮以選擇的半導體材料以實現具有的狀態阻力，的離狀態泄漏電流，
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SIC 電池斷開開關
得益于固態電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
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SiC 高電壓電池 斷開開關
/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現成驅動器。綜合這
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