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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置，以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。該驅(qū)動(dòng)器
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多款車型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車”

SiC技術(shù)似乎已成為蔚來(lái)旗下新車型標(biāo)配。蔚來(lái)在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C，呈現(xiàn)出來(lái)的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂(lè)道的首款車型L60。據(jù)悉，樂(lè)道全域采用900V高壓架構(gòu)，包括電驅(qū)系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器（PTC）、車載充電機(jī)（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
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英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車供應(yīng)一系列產(chǎn)品

Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車供應(yīng)碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動(dòng)汽車供應(yīng)了一系
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中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線成功達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達(dá)到99.99999%，已在國(guó)內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開(kāi)展試用和驗(yàn)證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資集團(tuán)共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線。項(xiàng)目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開(kāi)工建設(shè)，9月20日項(xiàng)目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
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英飛凌：將為小米電動(dòng)汽車提供先進(jìn)的功率芯片

德國(guó)頂級(jí)芯片制造商熱衷于挖掘中國(guó)對(duì)特種半導(dǎo)體的需求。
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2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)91.7億美元

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
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全面升級(jí)！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢(shì)。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

近日，包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲，最早將于2025年開(kāi)始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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